Em áreas como semicondutores, micronanoprocessamento, revestimentos ópticos e materiais de nova energia, a preparação de filmes finas de alta qualidade é a pedra angular do desempenho dos dispositivos. O sistema de deposição de fase química reforçada pelo plasma, com seu efeito de reforço do plasma, alcançou a deposição eficiente de filmes finas de alta qualidade a temperaturas relativamente baixas, tornou-se um equipamento de processo chave na fabricação avançada e pesquisa e desenvolvimento.

　　Sistema PECVDO núcleo da tecnologia é a utilização da atividade do plasma. Ao excitar o gás de reação (precursor) para um estado de plasma na cavidade de vácuo, uma grande quantidade de íons, elétrons e radicais livres altamente ativos é gerada. Estes grupos ativos reduzem significativamente a energia de ativação necessária para a reação química, proporcionando duas vantagens principais:

Capacidade de deposição a baixa temperatura: em comparação com a CVD térmica tradicional que requer centenas de graus Celsius ou até milhares de graus de temperatura do substrato, o processo PECVD geralmente pode alcançar a deposição de película fina em centenas de graus Celsius ou até menos. Esta característica permite que ele seja amplamente utilizado em substâncias resistentes a altas temperaturas, como polímeros plásticos, chips com circuitos metalizados terminados e substratos eletrônicos flexíveis, ampliando enormemente o cenário de aplicação.

2, excelente qualidade do filme e propriedades ajustáveis: o filme preparado pelo PECVD tem densidade, uniformidade, forte adesão, boa cobertura de degraus e outras características. Ao controlar com precisão parâmetros como potência do plasma, pressão do ar, relação de fluxo de gás e temperatura, a tensão, a taxa de refração, as propriedades elétricas (como constantes dielétricas) e a relação química do filme fino podem ser efetivamente regulados para atender às diversas necessidades de aplicação.

Os sistemas PECVD podem ser usados ​​para preparar filmes multifuncionais, incluindo, mas não limitados a:

Película de nitreto de silício: como uma excelente camada de passivação, camada de máscara e camada dielétrica, é amplamente utilizada em circuitos integrados e células solares.

2, película de dióxido de silício: como uma camada de meio isolante comumente usada.

3, filme de silício não cristalino / microcristalino: para transistores de película fina e células solares de película fina.

4, película de carbono tipo diamante: para revestimento de proteção resistente ao desgaste e redução do desgaste.

O sistema PECVD combina com sucesso uma alta taxa de sedimentação, uma excelente qualidade de filme e condições de processo suaves. Seu surgimento é um grande salto na tecnologia de preparação de filmes finas, fornecendo um forte apoio técnico para o desenvolvimento da indústria moderna de alta tecnologia.