Silicão da Universidade CornellModulador optoelétricoInvestigação avançada

Recentemente, a Universidade Cornell Zui fez um avanço na integração fotoelétrica com sucesso na pesquisa de um tipo de silício de micronsModulador optoelétricono silício anterior.Modulador elétrico-ópticoTodos são de dimensão milimétrica e é difícil alcançar a integração fotoelétrica no sentido prático. Os moduladores GaAs podem ser pequenos, mas não suportam bem os circuitos integrados de silício atuais. A revista Nature publicou ontem um artigo do professor assistente Michal Lipson da Cornell. No artigo, eles apresentam uma cavidade de ressonância circular, uma estrutura em que o condutor de onda direto e o condutor de onda de campo são acoplados juntos, com um diâmetro específico que permite passar por um número inteiro de comprimentos de onda. A câmara de ressonância circular utilizada no artigo tem um diâmetro de 12 mícrons, correspondendo exatamente ao comprimento de onda de 1576nm. A periferia externa dessa estrutura circular é um anel de silício dopado negativamente, formando assim uma estrutura PIN com o anel interno. Quando uma tensão é adicionada ao nó PN, os elétrons e buracos são injetados no condutor de onda, alterando a refração do condutor de onda e a frequência de ressonância, determinando a passagem e o bloqueio do sinal. A chave para este projeto é a introdução de um condutor de onda circular que substitui os condutores de onda longos necessários anteriormente. No experimento, os autores descobriram que uma tensão de 0,3 V poderia controlar bem o modulador. Este experimento conseguiu modulação de 1,5 Gbps.
O artigo é intitulado 'Micrometer-scale Silicon Electro-Optic Modulator.' Os coautores também incluem os estudantes de pós-graduação da Cornell, Qianfan Xu e Bradley Schmidt, e o pesquisador pós-doutorado da Intel, Sameer Pradhan.

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