O sistema de deposição de camada atómica de mesa (ALD) é um dispositivo de deposição de película fina de nanoescala baseado em reações de auto-restrição de superfície, adequado para cenários de laboratório e industriais de pequena escala, com características como alta precisão, robusta formação e ampla compatibilidade com materiais.
Características estruturais (vantagens de desktop)
Compacto (geralmente um pequeno armário de mesa ou vertical), ocupa pouco espaço de laboratório e não requer uma sala limpa separada ou grandes instalações.
O pequeno volume da cavidade de reação (geralmente de alguns a dezenas de ml) e o baixo consumo de precursores são adequados para estudos experimentais de precursores valiosos / raros.
Facilidade de operação: interface visual de toque com suporte a edição gráfica do processo de sedimentação (configuração do tempo de pulso do precursor, tempo de sopro, temperatura, número de ciclos, etc.).
O carregamento da amostra é simples, mais do que a adoção de uma mesa de amostras pequenas (adaptado a wafer, substrato, pó, micronanodispositivos e várias formas de amostra), alguns modelos suportam a amostragem automática.
Condições de processo moderadas: ampla gama de temperatura de sedimento (temperatura ambiente até 400 ° C, alguns modelos até 500 ° C), pode atender às necessidades de reação de diferentes precursores, adequado para substâncias resistentes a altas temperaturas (como polímeros, materiais flexíveis).
A pressão de trabalho é a pressão normal ou baixo vácuo (10-1 ~ 10-3 mbar), sem necessidade de unidades de alto vácuo, reduzindo o custo do equipamento e a dificuldade de manutenção.
Capacidade de controle preciso: equipado com um controlador de fluxo de massa de alta precisão (MFC) para controlar com precisão o fluxo de pulsos de precursor e de gás inerte.
A uniformidade da temperatura da mesa da amostra é boa (± 1 ~ ± 3 ° C), garantindo a uniformidade da espessura da película na superfície da base (desigualdade < ± 2%).
Aplicações
Semicondutores e microeletrônica: Deposição de filmes de meios de alta rede k (como Al₂O₂, HfO₂), filmes de eletrodos metálicos (como TiN, W) para o desenvolvimento de microtransistores e sensores.
Novos materiais energéticos: depositar uma película protetora (como LiPON) na superfície do eletrodo da bateria de lítio e um revestimento anti-reflexo (como SiO₂, TiO₂) na superfície da bateria fotovoltaica para melhorar a eficiência e a estabilidade do dispositivo.
Revestimento funcional: preparação de revestimento anticorrosivo, revestimento resistente ao desgaste, revestimento hidrofóbico / super hidrofílico para modificação de superfície de instrumentos de precisão.
Modificação de nanomateriais: revestimento superficial de materiais de nanopartículas, nanotubos de carbono e MOFs para regular suas propriedades ópticas, elétricas e catalíticas.