Tecnologias AnricFundada em 2014 por renomados especialistas em ALD Process da Universidade de HarvardGrupo do Professor Roy GordonPesquisadores criados com o objetivo de preencher o mercadoDeposição de camada atómica de mesa pequenaA lacuna é fornecer ferramentas de design e otimização para universidades, startups, empresas que exploram a tecnologia de deposito de camada atômica (ALD), lançamento de linhas de produção piloto e fabricantes profissionais.

A empresa se concentra na pesquisa de processos e equipamentos ALD, e seus principais membros técnicos são da Universidade de Harvard, que acumularam uma vasta experiência no processo ALD e podem fornecer aos clientes soluções de personalização de processos complexos.Pequenas amostras e usuários de baixo orçamentoOpções- É.

A deposição de camada atômica é uma técnica especial de deposição química de fase gás, um método de conduzir um precursor de fase gás de forma alternada para a câmara de reação e produzir uma reação química gaseosa na superfície do substrato de deposição para formar uma película fina. ALD é geralmente uma sequência de semi-reação de A e B, com características de auto-limitação da superfície, com excelente comormalidade tridimensional, uniformidade de grande área, controle da espessura da membrana de sub-camada e baixa temperatura de crescimento.

O princípio de crescimento da ALD é a deposição alternada de precursores de reação, depositando camada por camada a película fina na superfície do substrato.

Um ciclo de deposição da camada atômica pode ser dividido em quatro etapas:

Introdução ao primeiro precursor: introduzir o primeiro pulso de precursor na câmara de reação para que ele reaga de adsorção química com a superfície do matriz;

Limpeza de gás inerte: limpeza da câmara de reação com gás inerte (como nitrogênio ou gás) para remover o primeiro precursor não reagido e os subprodutos gerados pela reação;

Entrada no segundo precursor: introduzir o pulso do segundo precursor na câmara de reação para que ele reaga químicamente com o primeiro precursor adsorbido à superfície do substrato para gerar uma película fina;

Limpeza de gás inerte novamente: remover o segundo precursor e os subprodutos não reagidos novamente com gás inerte.

O ALD mais pequeno do mercado

ALD pequeno o suficiente para colocar na caixa de luvas

ALD em pó