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Jiangsu Leibo Scientific Instrument Co., Ltd
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【PF200 raspado in situ】 otimizar a forma do filme, eficiência PSC de até 24,31%, estabilidade de 600 horas de 89%!
Datas:2025-12-23Leia:2
【PF200原位刮涂】优化薄膜形貌,PSC效率达24.31%,600小时稳定性89%!
Instituto de Química da Academia de Ciências Médias X
Olá.

Em comparação com o método de revestimento rotativo, as películas de perovskite preparadas com o método de raspagem geralmente têm uma forma inferior, afetando a eficiência e a estabilidade do módulo solar (PSM). Para isso, a equipe do Instituto de Química da Academia Chinesa de Ciências introduziu aditivos de polímeros no precursor do perovskite para personalizar a estrutura de colóides elípticos (O dispositivo de raspagem in situ PF200 do Rebocometer foi usado no experimentoOs resultados foram publicados na revista Advanced Materials.

【PF200原位刮涂】优化薄膜形貌,PSC效率达24.31%,600小时稳定性89%!


01
informações de apoio
【PF200原位刮涂】优化薄膜形貌,PSC效率达24.31%,600小时稳定性89%!
【PF200原位刮涂】优化薄膜形貌,PSC效率达24.31%,600小时稳定性89%!

Equipamento PF200 (raspagem in situ):

Um micro-revestimento que pode ser usado para plataformas de observação in situ de radiação sincronizadas, com uma barra de empurrão que pode absorver uma placa de silício ou outra forma de cabeça de faca para revestimento, com revestimento ajustável em altura.


02
Conteúdo da pesquisa
【PF200原位刮涂】优化薄膜形貌,PSC效率达24.31%,600小时稳定性89%!

a) Esquema do processo de revestimento de lâminas de perovskite.

b) Colóides esféricos elípticos na membrana úmida ec) Esquema de empilhamento de colóides esféricos e a correspondente película de perovskite.

d) Colóides esféricos elípticos ee) Espectroscopia SAXS do pré-expulsor de perovskite colóide esférico.

f) O pré-expulsor esférico elíptico eg) Espectroscopia GIWAXS in situ do processo de formação de películas de perovskite revestidas com pré-expulsores de colóides esféricos.

h) Películas de perovskite revestidas de pré-expulsores de colóides esféricos elípticos ei) Evolução do ângulo de orientação associado à superfície (110) da película de perovskite revestida com pré-expulsor colóide esférico, obtida pela integração espectral GIWAXS in situ.

j) O pré-expulsor esférico elíptico ek) Modelo 2D-GIWAXS de perovskite revestido com pré-expulsor de colóides esféricos após cozimento térmico.

【PF200原位刮涂】优化薄膜形貌,PSC效率达24.31%,600小时稳定性89%!

a) Evolução do tamanho médio do grão durante o revestimento da lâmina.

b) Esquema LaMer do modelo de perovskite nucleação e crescimento.

c) Diâmetro do DLS no pré-expulsor de perovskite.

d) PCE de PSCs revestidos de perovskite com base em diferentes concentrações de polímeros.

e) Integração angular oriental das características de dispersão (100) de películas de perovskite com diferentes concentrações de polímeros.

f) Imagem SEM em seção transversal de películas de perovskite revestidas de precursor esférico e g) precursor esférico elíptico.

h) Colóides esféricos, i) Colóides esféricos elípticos e j) Simulação de sedimentação colóide de colóides esféricos elípticos muito grandes.

【PF200原位刮涂】优化薄膜形貌,PSC效率达24.31%,600小时稳定性89%!

a) Espectro de luz visível ultravioleta e PL de películas de perovskite revestidas por colóides esféricos e precoloides esféricos elípticos.

b) Espectroscopia TRPL de películas de perovskite revestidas por colóides esféricos elípticos e precursores de colóides esféricos.

c) Propriedades J-V escuras de diódodos de perovskite revestidos por colóides esféricos elípticos e precoloides esféricos para análise SCLC-somente com buracos vazios e d) elétrons-somente.

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a) Imagem SEM em secção transversal de uma lâmina revestida de PSC.

b) Características J-V do PSC.

c) Espectro EQE.

d) Corrente óptica estável e eficiência do PSC no MPP.

e) Fotografias ópticas do PSM.

f) Características J-V do PSM.

g) Estabilidade de armazenamento do PSM.

h) Estabilidade do rastreamento MPP do PSM.


03
Resultados da pesquisa

Melhoria significativa do desempenho do dispositivo após a otimização da forma do filme: eficiência PSC de 0,09 cm²24.31%, Eficiência certificada PSM de 13,94 cm²21.37%Depois de 600 horas de trabalho.89%eficiência inicial.