Fabricação de matrizes de GaNLED: A Xiamen Zhongcore Crystal Research Semiconductor Co., Ltd. usa o sistema de gravação de plasma NordsonMarchRIE-1701 para fabricar matrizes de diodos emissores de luz (LED) de nitreto de gálio (GaN) usando o plasma SF6. Corte o chip de extensão GaNLED de 2 polegadas baseado em zafiro em um chip de 1cm x 1cm, com Cu como material de máscara e modelado por fotografia ultravioleta. O efeito de diferentes potências de RF e substratos de veículo na taxa de gravação GaN, bem como a rugosidade da superfície causada pela gravação, foram estudados durante o processo de gravação. Eventualmente, uma matriz de LED de alta densidade foi fabricada com sucesso, aumentando a uniformidade da gravação e a rugosidade da superfície através da adição de um substrato de veículo e reduzindo a impedância de contato entre o metal e o GaN após a fusão a alta temperatura.

Processo avançado de gravação de precursores de chips: Primonanova da MCU ® Equipamento de gravação de plasma acoplado por indução para gravação de dispositivos semicondutores de 7 nm, 5 nm e mais avançados. O dispositivo utiliza a tecnologia de gravação de plasma acoplado por indução de propriedade intelectual autônoma, com um design inovador como a cavidade de reação totalmente simétrica e a velocidade de bombeamento molecular ultraalta. Pode ser usado em vários processos de gravação de condutores, como gravação de isolamento de ranhuras rasas (STI) e gravação de portões de silício policristalino; Também pode ser usado para gravação de mídia, como a gravação de parede de espaço (SpacerEtch), etc., pode fornecer uma janela de processo mais ampla para a fabricação de chips, alcançar custos de fabricação mais baixos, já está em funcionamento normal em várias linhas de produção de clientes, boa taxa estável.

Gravação de portão de wafer de 8 polegadas: no processo de gravação de portão de wafer de 8 polegadas, um sistema composto combinado GXS é usado com uma gravadora de plasma. Os dados de produção da fábrica de fundição de chips mostram que esta combinação pode estabilizar o vácuo da câmara de gravação em 5 x 10-4 mbar, permitindo que a taxa de gravação de SiO2 chegue a 1200 Å / min e o erro de uniformidade dentro da placa seja ≤ 1,5%. Em comparação com o esquema anterior de bomba de vedação a óleo, a taxa de defeito após a gravação caiu de 0,35% para 0,08%, aumentando a capacidade de produção anual de aproximadamente 2.300 unidades por unidade.

Processo de interconexão de cobre semicondutor: no processo de interconexão de cobre semicondutor, uma gravadora de plasma é usada para tratar a camada de óxido metálico. Através de um processo específico, os resíduos da camada de óxido podem ser controlados a <0,5 nm, melhorando efetivamente a qualidade do processo. Na embalagem de nível de wafer, a taxa de boa produção após o uso deste processo aumentou de 92% para 99,6%.