Deposição de filmeÉ uma camada revestida sobre o material principal do substrato do semicondutor. Esta camada de membrana pode ter uma variedade de materiais, como o composto isolante de dióxido de silício, silício policristalino semicondutor, cobre metálico, etc.Este dispositivo usado para revestir é chamado de dispositivo de deposição de película fina.

Em termos de processo de fabricação de chips semicondutores, está localizado no processo frontal.

Processo de preparação de filmeDe acordo com o seu método de membranagem pode ser dividido em duas categorias principais:Deposição física em fase gás (PVD) e deposição química em fase gás (CVD),Dos quaisA proporção de equipamentos de processo CVD é maior.

Deposição Física em Fase (PVD)Gasificação da superfície da fonte do material e depositação na superfície do substrato através de gás/plasma de baixa pressão, incluindo evaporação, pulverização, feixes de íons, etc.;

Deposição Química em Fase (CVD)Refere-se ao processo de deposição de uma camada de membrana sólida na superfície da placa de silício por meio de uma reação química de mistura de gás, que é dividida em CVD de pressão normal (APCVD), CVD de baixa pressão (LPCVD), CVD reforçada com plasma (PECVD), CVD de plasma de alta densidade (HDPCVD) e deposição de camada atômica (ALD).