Interruptor de limiar bidirecional (OTS(Dispositivos)É um componente-chave para a evolução da memória de uma arquitetura bidimensional para tridimensional, com a estrutura central constituída por uma película fina de eletrodos / enxofre. Entre eles, a película de enxofre Ge-Se tornou-se a mais preocupada por suas excelentes propriedades de interruptor.Sistema de materiais OTSNo entanto, a estrutura da faixa de preço e a estrutura atômica do sistema em diferentes faixas de componentes (especialmente a região rica em selênio e a região rica em germânio) ainda não foram totalmente reveladas. Para superar esse problema, a equipe do professor Zhumi Minh da Universidade de Xangai Jiaotong eTecnologia Seymour FlyerColaboração entre China e o Sul, utilizandoPlataforma ESCALAB QXi XPSFoi realizado um estudo sistemático da estrutura eletrônica e da distribuição de chaves de GeA A A Se1-Se1 (x = 0-100%) em toda a faixa de composição. Resultados relacionados com "Análise de espectroscopia fotoeletrônica de raios X de chalcogénidos Ge-Se“Publicado sobre o tema.

A equipe reconstruiu o nível de energia do núcleo Ge 3D e a estrutura da faixa de preço com XPS de alta resolução, estabelecendo associações quantitativas entre mudanças no conteúdo de Ge, mudanças no ambiente de alojamento e redistribuição de tipo chave. Os resultados mostram que o sistema Ge-Se apresenta três tipos de regiões estruturais em diferentes intervalos de componentes: regiões ricas em selênio (x < 40%) mantêm uma estrutura de apontamento Ge:Se de 4:2; A região de transição rica em germânio (x = 40-60%) mostrou uma configuração Ge-Se de 3:3 em concorrência com a formação de ligações Ge-Ge isopolares; A região dominante do germanio (x ≥ 70%) mostrou que mais de 72% das ligações eram ligações Ge-Ge homopolares.

Além disso, a dissociação da cadeia de selênio e a formação de diferentes tipos de ligações Ge-Se, bem como ligações Ge-Ge homopolares, foram descobertas através da análise da espectroscopia da faixa de preço. Estes resultados estabeleceram a relação componente-estrutural no sulfuro de Ge-Se, sugerindo que o desempenho do OTS pode ser otimizado através de engenharia chave mediada por defeito através da incorporação controlada de Ge.

O estudo não apenas aprofunda a compreensão da estrutura eletrônica dos materiais de enxofre Ge-Se, mas também fornece novas ideias para o design de materiais OTS de alto desempenho e o desenvolvimento de futuras tecnologias de armazenamento de alta densidade.

Figura 1. Série Ge_xVeja_1-xGráfico de nível de energia do núcleo Ge3d de filme fino com a evolução dos componentes

Figura 2. Análise do espectro de faixa de preço da série Ge por XPS_xVeja_1−xEstrutura eletrônica de preço do filme

Figura 3. Comparação do espectro de preços XPS de amostras ricas em selênio e amostras ricas em germânio

Seymour voarSistema ESCALAB QXi XPSA capacidade de detecção de alta resolução e alta sensibilidade desempenhou um papel importante neste estudo, proporcionando suporte técnico confiável para a análise estrutural a nível atômico. Essas descobertas não apenas aprofundam nossa compreensão da evolução da estrutura eletrônica do sistema Ge-Se, mas também fornecem novas ideias e abordagens para o projeto de materiais de memória de alto desempenho no futuro. A SymerFly continuará a trabalhar para fornecer aos pesquisadores instrumentos e soluções avançados que ajudem a avançar na pesquisa científica.