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instrumentb2bRaspar FAPbI3 com eficiência de até 25,2%! A equipe Zhejiang estabeleceu um novo recorde com a máquina de limpeza de plasma e a máquina de revestimento da Rebo!
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刮涂FAPbI3效率达25.2%!浙大团队使用雷博等离子清洗机与涂膜机创下新纪录!
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A equipe da Universidade de Zhejiang Chen Hong征 publicou um artigo de pesquisa intitulado "Passivação de Vapor de Aminas Bimoleculares para Células Solares Eficientes de Perovskite Baseadas em FAPbI3 Coated Blade" na revista Energy & Environmental Science. Eles apresentaram inovativamente.Passivação a vapor de amina bimolecular (BAVP)A tecnologia conseguiu com sucesso a preparação de baterias de perovskite de grande área de alta eficiência e também permitiu que as baterias mostrassem uma excelente estabilidade em condições de alta temperatura.

Preparação de grandes áreas com produtos da Raybo
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O substrato ITO após a limpeza é secado por um forno a arMáquina de limpeza ao plasmaPT40K-BEFaça o processamento por 30 segundos e, em seguida, coloque-o em funcionamento.

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Ao preparar a película de perovskite, a solução de precursor é revestida sobre a superfície de base ITO/NiOx/Me-4PACz a uma velocidade de movimento de 15 mm/s e, posteriormente, uma faca de ar seco é usada em ambientes de baixa umidade.Máquina de revestimento para perovskite PF200-HTratamento de temperação.


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Resultados da pesquisa

Dados de teste mostram que as baterias tratadas com BAVP não só25.2%doExcelenteEficiência e estabilidade igualmente excelentes – o dispositivo não encapsulado mantém a eficiência até 2616 horas a 85°C e 500 ciclos de temperatura de -5 a 55°C, respectivamente99.4%com97.5%Isso demonstra significativamente as perspectivas de aplicação dessa estratégia para melhorar o desempenho integrado da bateria.


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Imagem original
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(a) Esquema do processo de passivação a vapor de amina bimolecular (BAVP), mostrando como 2-(PEA) e (EDA) interagem com a película de perovskite.

(b) Esquema da adsorção de PEA na superfície do perovskite terminado com PbI2.

(c) Esquema da adsorção de EDA na superfície do perovskite terminado com PbI2.

(d) Curva de energia livre de Gibbs em PEA e FA+.

(e) Curva de energia livre de Gibbs em reação com EDA e FA+.


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(a) A análise de espectroscopia fotoeletrônica de raios X (XPS) mostrou mudanças na energia de ligação de Pb 4f em películas de perovskite tratadas com PEA, EDA e BAVP.

(b) Imagem do microscópio de força de sonda de Kelvin (KPFM) para a passivação de solução e (c) uma película de perovskite tratada com BAVP.

Espectroscopia de difração de raios-X penetrante de resolução profunda (GIXRD) de películas de perovskite tratadas com (d) grupo de controle, (e) tratamento BAVP e (f) inactivação de solução.


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(a) Alinhamento de níveis energéticos de películas de perovskite sob diferentes tratamentos aminados.

(b) A diferença entre o fundo da cinta condutora do perovskite e o nível de energia de Fermi na película de perovskite sob diferentes tratamentos.

c) Espectro fotoluminescente estável (PL).

(d) Curva de decadência fotogênica por distinção temporal (TRPL).

Valor da produtividade quântica PL (PLQY).

(f-h) Distribuição de intensidade PL de películas de perovskite tratadas por diferentes métodos de passivação.


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(a) Estrutura do dispositivo de células solares de perovskite invertidas utilizadas neste estudo.

b) Curva J-V para dispositivos de pequena área não tratados e tratados com aminas diferentes.

c) Curvas J-V para dispositivos tratados por métodos de passivação à base de solução e vapor.

(d) Eficiência fotoelétrica representativa (PCE) de células e módulos solares de perovskite invertido preparados por raspagem.

Espectro de eficiência quântica externa (EQE) para dispositivos de pequena área tratados por diferentes métodos de passivação.

(f) Curvas J-V e imagens de módulos solares de perovskite tratados por diferentes métodos de passivação. g) Espectroscopia de impedância eletroquímica (EIS) de dispositivos não tratados e tratados com aminas diferentes.

h) Corrente óptica transitória (TPC) para dispositivos não tratados e tratados com aminas diferentes.

(i) Propriedades de corrente limitada de carga espacial (SCLC) para dispositivos eletrônicos-somente não tratados e tratados com aminas diferentes.



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