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Unidade 1, piso 19, edifício 8, casa 1, rua Beiqing, distrito de Changping, Pequim, 1911
Beijing Rongxing Guangheng Technology Co., Ltd
Unidade 1, piso 19, edifício 8, casa 1, rua Beiqing, distrito de Changping, Pequim, 1911
Vamos lá! LCPLN50XIR e 100XIR objetivos infravermelhos
Vamos lá! LCPLN50XIR e 100XIR objetivos infravermelhos
Óbitos infravermelhos Olympus
Objetivos infravermelhos 5X/10X/20X/50XIR
Para uso na indústria
Metalurgia, semicondutores, aviação, etc.
Os LCPLN50XIR e LCPLN100XIR da Olympus são objetivos de microscópio projetados para espectroscopia de infravermelho próximo (NIR) e são usados principalmente em semicondutores, fabricação de eletrônica e metalurgia industrial para a detecção não destrutiva de estruturas internas de wafers de silício, chips de IC e outros materiais. 34
Características técnicas e de design
00001. Capacidade de observação do infravermelho próximoAmbos os objetivos são otimizados para comprimentos de onda de infravermelho próximo de 700-1300 nm, com alta transmissibilidade e capacidade de penetrar em materiais como o silício para obter uma observação não destrutiva da estrutura interna do wafer, linhas de ligação ou defeitos. 38
00002. Anel de correção ajustávelEssa é a característica principal da série LCPLN-IR. Os objetivos são equipados com anéis de correção que permitem a correção de diferenças esféricas para materiais de cobertura de diferentes espessuras, como tampas de vidro ou camadas de silício, mantendo assim alta resolução e alto contraste durante a observação de amostras diferentes. 34
· Gama de correção da espessura do vidro: 0 - 1.2mm(50X); 0 - 0.7mm(100X)。 34
· Gama de correção da espessura do silício: 0 - 1.2mm(50X); 0 - 1.0mm(100X)。 34
00003. Sistema óptico de distância ilimitadaAdota o design óptico de correção de distância infinita, compatível com o caminho óptico de microscópio de distância infinita padrão. 12
00004. Comparação dos principais parâmetros ópticos
Parâmetros |
LCPLN50XIR |
LCPLN100XIR |
Ampliar |
50X |
100X |
Diâmetro numérico (N.A.) |
0.65 |
0.85 |
Distância de trabalho (W.D.) |
4,5 milímetros |
1,2 mm (vidro) / 1,48 - 1,33 mm (silício) |
Número de campos de visão (F.N.) |
22 milímetros |
22 milímetros |
Distância focal |
45 milímetros |
45 milímetros |
Interface roscada |
W20,32 × 0,706 (RMS) |
W20,32 × 0,706 (RMS) |
Meio de immersão |
Ar / Secação |
Ar / Secação |
II. Vantagens da aplicação
00001. Aumentar a precisão da detecçãoA alta abertura numérica combinada com a correção de diferença oferece alta resolução e contraste de imagem na faixa de infravermelho próximo, revelando claramente os detalhes microscópicos internos do material. 89
00002. Melhor adaptabilidadeO design de anel de correção permite que a mesma lente se adapte a wafers de diferentes processos ou amostras com camadas de embalagem de espessura diferente para obter imagens nítidas sem a necessidade de substituir a lente, aumentando a eficiência e a flexibilidade da detecção. 38
00003. Suporte ao modo de imagemAmbos os objetivos suportam reflexão de campo aberto e observação de transmissão, bem como observação de luz polarizada. 210
00004. Compatibilidade do sistemaComo parte do sistema óptico Olympus UIS2, pode ser usado em conjunto com o corpo do microscópio e os acessórios correspondentes para construir uma plataforma profissional de detecção de infravermelho próximo. 4
3. Aplicações típicas
· Análise de falhas de semicondutoresDetecta fendas, vazios, estratificações e defeitos de conexão de fios metálicos dentro do chip de circuito integrado. 8
· Detecção de WaferObserve as áreas de dopagem, defeitos e estrutura cristalina dentro do wafer de silício. 39
· Pesquisa em Ciência dos MateriaisUtilizado em diversas áreas de pesquisa científica e teste industrial que exigem penetração de materiais opacos para imagens internas. 12
