Espectrómetro de massa iônico binário dinâmico D-SIMS

O ADEPT-1010 foi projetado para análise automática de injeção de semicondutores de superfície e de filmes de isolamento e é uma ferramenta comum para a maioria dos laboratórios de desenvolvimento e suporte de semicondutores. O sistema óptico otimizado de coleta de íons secundários e o design de vácuo ultra-alto fornecem a sensibilidade necessária para a detecção de componentes dopados e impurezas comuns na estrutura de filme fino.

Espectrometria de massa iônica secundária dinâmica (D-SIMS) é uma técnica de análise de superfície de alta sensibilidade para a análise da composição de materiais sólidos.

O ADEPT-1010 foi projetado para análise automática de injeção de semicondutores de superfície e de filmes de isolamento e é uma ferramenta comum para a maioria dos laboratórios de desenvolvimento e suporte de semicondutores. O sistema óptico otimizado de coleta de íons secundários e o design de vácuo ultra-alto fornecem a sensibilidade necessária para a detecção de componentes dopados e impurezas comuns na estrutura de filme fino.

Princípio de funcionamento:

O espectrómetro de massa iônico binário dinâmico bombardeia a superfície da amostra usando feixes de íons de alta energia focados (por exemplo, O₂+, Cs+, Ar+, etc.), permitindo que os átomos ou moléculas da superfície da amostra fossem pulverizados. Neste processo, as partículas parcialmente pulverizadas são carregadas, formando íons secundários. Esses íons secundários são coletados e transferidos para um espectrómetro de massa para análise, que permite determinar a composição química e a distribuição dos elementos da amostra.