Espectrómetro de defeitos de varredura a laser

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Visão geral

O imager de defeito de varredura a laser é uma versão atualizada do teste de corrente de indução de feixe a laser (LBIC). Ele usa um feixe de laser com uma energia de comprimento de onda maior que o intervalo de banda do semicondutor para irradiar o semicondutor, gerando pares de buracos eletrônicos. Analise a distribuição de defeitos através de uma varredura rápida da superfície da amostra para obter distribuições de imagens que revelam mudanças na corrente interna. Isso ajuda a analisar a qualidade da preparação da amostra e ajuda a melhorar o processo.

Detalhes do produto

Introdução do produto

Obtenha a imagem completa em 4 minutos para digitalizar uma área de 100 mm x 100 mm em uma resolução de 50 mícrons

　　agressivoluzO imager de defeito de varredura é uma versão atualizada do teste de corrente de indução de feixe laser (LBIC). Ele usa um feixe de laser com comprimento de onda maior do que a lacuna de energia do semicondutor para irradiar o semicondutor, gerando pares eletrônicos-eletrônicos. Obtenha uma distribuição de imagens que revela mudanças na corrente interna ao digitalizar rapidamente a superfície da amostra para analisar a distribuição de vários defeitos. Isso ajuda a analisar a qualidade da preparação da amostra e ajuda a melhorar o processo.

Características

●Varredura a distribuição da corrente fotográfica

●Distribuição de tensão óptica de varredura

●Varredura a distribuição de tensão de circuito aberto e corrente de curto-circuito

●Análise da poluição superficial

●Análise da distribuição das áreas de curto-circuito

●Identificação e análise de áreas de microfissuras

●Análise da distribuição de alguns comprimentos de difusão de veículos (opcional)

aplicação

雷射扫描缺陷图谱仪

Distribuição fotoelétrica de células solares de silício (405 nm)

雷射扫描缺陷图谱仪

Scanner de células solares de silício de 6 polegadas (17 segundos)

雷射扫描缺陷图谱仪

Células solares de perovskite

雷射扫描缺陷图谱仪

Distribuição de corrente de resposta óptica LSD4-OPV

雷射扫描缺陷图谱仪

Distribuição de corrente de resposta óptica LSD4-OPV

Análise de desigualdade com resolução de 50 µm

Detecção da proporção de linha/porta (análise de seção transversal)

Alta repetibilidade (6 repetições)

especificação

projeto	Descrição dos parâmetros.
Funções	A. Usando o feixe de laser de comprimento de onda com energia superior ao intervalo de banda do semicondutor para gerar pares de buracos eletrônicos no semicondutor, explorar o impacto da área de esgotamento nas mudanças de corrente interna, entender e analisar a distribuição de vários defeitos como uma direção para a melhoria do processo. b. Capacidade de digitalizar a distribuição da corrente fotobiótica na superfície da amostra. C. Capaz de digitalizar a distribuição da tensão óptica da superfície da amostra. Capacidade de digitalizar a distribuição de tensão de circuito aberto e corrente de curto-circuito. Capacidade de analisar a poluição superficial. F. Capacidade de analisar a distribuição de áreas de curto-circuito. G. Capacidade de identificar e analisar as áreas de microfissuras. H. Capacidade de analisar a distribuição de comprimentos de difusão de alguns portadores (opcional).
Fontes de incentivo	Laser de 405 ± 10nm Laser de 520 ± 10nm Laser de 635 ± 10nm Laser de 830 ±10nm
Área de varredura	≥ 100 milímetros × 100 milímetros
Tamanho da mancha laser	Perto do ponto de modo TEM00
Resolução de mapeamento	A. Resolução de varredura ≤ 50 µm b. Resolução de varredura pode ser configurada através do software
Tempo de mapeamento	< 4 minutos (100mm x 100mm, resolução 50um)
Aspectos	60 cm * 60 cm * 100 cm
Software	A. Visualização 3D LBIC b. Análise de secção transversal 2D (proporção longitudinal do eletrodo) c. Análise da distribuição da resposta de corrente óptica (em combinação com uma fonte laser de comprimento de onda longo) Funções de armazenamento e exportação de dados

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