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Endereço
Quarto 208, Edifício 5, No. 88, Rua Hane Norte, Distrito Songjiang, Xangai
Categorias do produto
Shanghai Zhengjun Indústria Co., Ltd.
Analisador de parâmetros de semicondutores TH521
NegociávelAtualização em05/15
- Modelo
- Natureza do fabricante
- Produtores
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Visão geral
O Analisador de Parâmetros de Semicondutores TH521 é uma solução abrangente para o design de circuitos que ajuda os projetistas de circuitos eletrônicos de potência a escolher o dispositivo de potência adequado para suas aplicações para maximizar o valor de seus produtos eletrônicos de potência. Pode avaliar todos os parâmetros relevantes do dispositivo em diferentes condições de trabalho, incluindo parâmetros IV (tensão de ruptura e resistência de condução), capacitor FET de três extremidades, carga de porta e perda de energia. Os analisadores de parâmetros de semicondutores da série TH521 para projetos de circuitos possuem funcionalidades completas de rastreador de curva, entre outras.
Detalhes do produto
Analisador de parâmetros de semicondutores TH521Introdução：
Analisador de parâmetros de semicondutores TH521É uma solução abrangente para o design de circuitos que ajuda os projetistas de circuitos eletrônicos de potência a escolher os dispositivos de potência adequados para suas aplicações e maximizar o valor de seus produtos eletrônicos de potência. Pode avaliar todos os parâmetros relevantes do dispositivo em diferentes condições de trabalho, incluindo parâmetros IV (tensão de ruptura e resistência de condução), capacitor FET de três extremidades, carga de porta e perda de energia. Os analisadores de parâmetros de semicondutores da série TH521 para projetos de circuitos possuem funcionalidades completas de rastreador de curva, entre outras.
A tensão máxima de saída da série TH521 pode atingir ± 3500V, a corrente máxima de saída pode atingir ± 1800A, a resolução mínima de medição da tensão é de 100nV, a resolução mínima de medição da corrente é de 10fA, a tensão máxima de desvio para o conjunto de eletrodos de medição de capacitor atinge ± 3500V, a frequência máxima de medição pode atingir 10MHz.
Características de desempenho
O TH521Características gerais
· Até3.5kV/1800AAmpla gama de trabalho
de-50°Cpara+250°CTeste térmico rápido totalmente automático
· Criação automática de dados técnicos para dispositivos de potência (semicondutores e componentes)
• Função de registro automático para evitar a perda de dados
·AlRedação auxiliarPythonScript de teste
TH521IVCaracterísticas do pacote
· Automação rápida de dispositivos em embalagens e wafersIVmedição
Ron、BVvazamento,Vth、VsatEsperem.)
· estreitoIVLargura do pulso (mais estreita) 10μsEvita o aquecimento espontâneo do dispositivo para medição mais precisa
Desempenho real do dispositivo de teste
· Visão de osciloscópio (visão de campo temporal) para monitorar a tensão real/forma de onda de pulso de corrente,
para medições precisas.
*Configurações podem ser flexibilmente expandidas, adicionandoCVeQgA corrente varia de20Aexpansão
para200A、600Aou1800A
O TH521Características completas do pacote
·IVTodas as características do pacote
· Dispositivos de embalagem de medição em3,5 kVCapacitação de entrada, saída e transmissão inversa de transistores
Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Crese resistência ao portão(Rg)
· Medição da carga elétrica do portão do dispositivo de encapsulamento (Qg(Curvas)
Cálculo de perdas de potência (perdas de condução, condução e interruptor)
Área de aplicação
· Dispositivos de potência semicondutores
Diodos, triodos,MOSFET、IGBTTiristores, circuitos integrados, luz
testes de capacitação parasitária como chips eletrônicos,C-VAnálise de características
· Materiais semicondutores
corte de wafer,C-VAnálise de características
· Materiais líquidos
Análise da constante elástica, corte de cristais líquidos
· Componentes capacitivos
capacitorC-VTeste e análise de características, análise de teste de sensores capacitivos
H521Parâmetros técnicos do analisador de parâmetros de semicondutores da série:
MCSMU | |||
Gama de tensão, resolução e precisão | |||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (% de MV + MV） |
*Grande corrente |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A |
20V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A |
40 voltos |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
*Alta tensão |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V |
1mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V |
10mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V |
100mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V |
1A |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V |
Resolução típica |
6½Bits |
||
*Grande tensão |
±30V |
||
*Pequena corrente |
10pA |
||
Pulso * Grande proporção de ocupação |
5%(O pico excede100mAvez） |
||
Pulso * pequena largura |
10μs |
||
Pulso * Largura grande |
100ms(O pico excede100mAvez） |
||
Corrente contínua * grande corrente |
±100mA |
||
Pulso * pico grande |
±1A |
||
Pulso * Grande valor de base |
±50 mA(O pico excede100mAvez） |
||
HCSMU | |||
Gama de tensão, resolução e precisão | |||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (% de MV + MV） |
*Grande corrente |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A |
20V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A |
40 voltos |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
*Alta tensão |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40 voltos |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40 voltos |
1mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40 voltos |
10mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40 voltos |
100mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40 voltos |
1A |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40 voltos |
20A |
20μA |
±(0.4 + 2E-3 + Vo x 1E-4) |
20V |
Resolução típica |
6½Bits |
||
*Grande tensão |
±40 voltos |
||
*Pequena corrente |
10pA |
||
Pulso * Grande proporção de ocupação |
1%(O pico excede1Avez） |
||
Pulso * pequena largura |
50μs |
||
Pulso * Largura grande |
1ms(O pico excede1Avez） |
||
Corrente contínua * grande corrente |
±100mA |
||
Pulso * pico grande |
±20A |
||
Pulso * Grande valor de base |
±100mA(O pico excede1Avez） |
||
MPSMU | |||
Gama de tensão, resolução e precisão | |||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (% de MV + MV） |
*Grande corrente |
100mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100mA |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100mA |
10V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100mA |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20mA(≥40V) 50mA(≤40V) |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
*Alta tensão |
1nA |
1fA |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100nA |
100fA |
±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1mA |
1nA |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100mA |
100nA |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20V |
Resolução típica |
6½Bits |
||
*Grande tensão |
±100V |
||
*Pequena corrente |
1fA |
||
HVSMU | |||
Gama de tensão, resolução e precisão | |||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição±(%+mV) |
*Grande corrente |
200V |
200 uV |
±(0.03+40) |
10mA |
500V |
500uV |
±(0.03+100) |
10mA |
1500V |
1,5 milhares de volts |
±(0.03+300) |
10mA |
3500V |
3,5 mV |
±(0.03+600) |
5 mA |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
*Alta tensão |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Resolução típica |
6½Bits |
||
*Grande tensão |
±3500V |
||
*Pequena corrente |
10fA |
||
UHCU | ||
Gama de tensão, resolução e precisão | ||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição±(%+mV) |
60V |
100μV |
±(0.2+10) |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Pulso * Grande proporção de ocupação |
0.4%（600Aquantidade);0.1%（1800ADimensão） |
|
Pulso * pequena largura |
10μs |
|
Pulso * Largura grande |
1ms（600Aquantidade);500μs（1800ADimensão） |
|
Pulso * pico grande |
200A、600A、1800ADimensão |
|
MFCMU | ||
|
frequência |
Faixa de frequência |
1kHz ~ 10MHz |
*Resolução de baixa frequência |
1mHz |
|
Precisão de frequência |
±0.05% |
|
|
ACNível |
Escala de níveis |
0~250mV |
Resolução |
0.1mVrms |
|
Precisão |
±(10%*Configurar o valor+ 2mV) |
|
|
DCDesviés |
alcance |
0~±25V |
Resolução |
1mV |
|
Precisão |
1%*Configurar a tensão+ 8mV |
|
Impedência de saída |
100Ω |
|
Configuração do Teste |
Quarto par |
|
Tempo de teste |
rápido2,5 milímetrosVelocidade média90 segundoslento220ms |
|
capacitância |
Área de exibição |
0.00001pF~9.99999F |
*Alta precisão |
0.05% |
|
O TH521Tabela de seleção do analisador de parâmetros de semicondutores da série:
TH521-35-20 |
IV: 3500V / 20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |
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