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Endereço
Songgang cidade, Baoan distrito, Shenzhen, província de Guangdong
Shenzhen Zetuo Biotechnology Co., Ltd
Songgang cidade, Baoan distrito, Shenzhen, província de Guangdong
Apenas para estudos em animais.
| Substrato / Porta | Silício (dopado com p) |
| Portão dielétrico | 300 nm dióxido de silício crescido termicamente |
| Eletrodos de fonte-drenagem | Camada de adesão de platina (100 nm) / titânio (5 nm) |
| Método de deposição | Pulverização de plasma |
| Método de padronização | Fotolitografia |
Chip britânico Ossila S403 OFET chip de teste S411
Os substratos de alta densidade Ossila apresentam 20 OFETs que podem beneficiar sua pesquisa de várias maneiras. Em primeiro lugar, o custo de produção é reduzido como resultado de um maior volume de OFETs por substrato em comparação com os equivalentes de baixa densidade. Isso pode ajudar a alongar seu orçamento para permitir que você produza e teste um maior número de OFETs.
Em segundo lugar, a produção de OFETs é um processo muito mais rápido e menos laborioso. O tempo de fabricação é reduzido em até 50% ao usar OFETs pré-fabricados de alta densidade, liberando mais tempo para testar os dispositivos. Como resultado disso, podem ser produzidos maiores volumes de estatísticas que, por sua vez, podem fornecer pesquisas mais robustas e confiáveis.
Chip britânico Ossila S403 OFET chip de teste S411
Além disso, a variabilidade do OFET é reduzida, uma vez que um maior número de OFETs é produzido com cada fabricação. Na Ossila otimizamos o processo de fabricação para produzir substratos de alta qualidade consistentemente. Neste sentido, usar nossos substratos pré-fabricados em vez de fabricar o seu próprio pode ajudá-lo a coletar dados mais confiáveis para beneficiar seu projeto de pesquisa.
Os substratos pré-fabricados de alta densidade são ideais para testes de mobilidade, pois permitem testes rápidos e eficientes de grandes volumes de OFETs. A placa de teste OFET de alta densidade Ossila foi projetada para este propósito.
Em vez de usar uma estação de sonda mecânica para testar OFETs, que é um processo delicado e demorado, a placa de teste de alta densidade permite o teste de múltiplos OFETs ao mesmo tempo; simplesmente solte o substrato na ranura de teste, segure a tampa push-fit e conecte a placa através de seus conectores BNC a uma série de equipamentos de teste.
Chip britânico Ossila S403 OFET chip de teste S411
A placa foi projetada de forma inteligente para reduzir o ruído externo, a corrente de vazamento e a capacitança de desvio, a fim de fornecer testes fiáveis e precisos de baixa corrente.
O Ossila High Density OFET Test Board, projetado para testes rápidos e confiáveis de múltiplos OFETs.
Fabricamos substratos de silício dopados com p com uma camada superior de óxido de silício isolante de 300 nm. Platina é depositado no topo para produzir eletrodos de porta que também cobrem a borda condutora do substrato. Portanto, é essencial que a borda do substrato seja condutora e não coberta com a camada de óxido de silício. Caso contrário, o óxido de silício deve ser arranhado dos lados dos substratos antes de poder ser usado.
Estrutura dos nossos substratos pré-fabricados de silício/óxido de silício.
Na Ossila otimizamos o processo de fabricação para garantir que as bordas sejam condutoras e o substrato imediatamente pronto para uso.
Fabricamos nossos substratos de alta densidade com 5 nm de titânio e 100 nm de platina.
Para detalhes individuais e desenhos dimensionais de cada tipo de substrato veja abaixo.
Substrato linear de comprimento variável de canal de 1 mm x 2 µm (S403)
| Geometria | linear |
| Arrançamento | 20 OFETs, 5 larguras de canal |
| Largura do canal | 1 milímetro |
| Comprimento do canal | 2, 4, 6, 8, and 10 µm |
Desenho dimensional de substrato de 1 mm x 2 µm.
Substrato interdigitado de comprimento constante de canal de 22,6 mm x 5 µm (S411)
| Geometria | Interdigitado |
| Arrançamento | 20 identical OFETs |
| Largura do canal | 22.6 mm |
| Comprimento do canal | 5 µm |
Desenho dimensional de um dos dispositivos de 22,6 mm x 5 µm no substrato de alta densidade.