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Shenzhen Zetuo Biotechnology Co., Ltd
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Chip britânico Ossila S403 OFET chip de teste S411

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Visão geral

UK Ossila Chip S403 OFET Test Chip S411$r$n UK Ossila Agente, *, entrega pontual, bem-vindo aos novos e antigos clientes!!

Detalhes do produto

Apenas para estudos em animais.

Especificações

Substrato / Porta Silício (dopado com p)
Portão dielétrico 300 nm dióxido de silício crescido termicamente
Eletrodos de fonte-drenagem Camada de adesão de platina (100 nm) / titânio (5 nm)
Método de deposição Pulverização de plasma
Método de padronização Fotolitografia

Chip britânico Ossila S403 OFET chip de teste S411

Aplicações

Os substratos de alta densidade Ossila apresentam 20 OFETs que podem beneficiar sua pesquisa de várias maneiras. Em primeiro lugar, o custo de produção é reduzido como resultado de um maior volume de OFETs por substrato em comparação com os equivalentes de baixa densidade. Isso pode ajudar a alongar seu orçamento para permitir que você produza e teste um maior número de OFETs.

Em segundo lugar, a produção de OFETs é um processo muito mais rápido e menos laborioso. O tempo de fabricação é reduzido em até 50% ao usar OFETs pré-fabricados de alta densidade, liberando mais tempo para testar os dispositivos. Como resultado disso, podem ser produzidos maiores volumes de estatísticas que, por sua vez, podem fornecer pesquisas mais robustas e confiáveis.

Chip britânico Ossila S403 OFET chip de teste S411

Além disso, a variabilidade do OFET é reduzida, uma vez que um maior número de OFETs é produzido com cada fabricação. Na Ossila otimizamos o processo de fabricação para produzir substratos de alta qualidade consistentemente. Neste sentido, usar nossos substratos pré-fabricados em vez de fabricar o seu próprio pode ajudá-lo a coletar dados mais confiáveis ​​para beneficiar seu projeto de pesquisa.

Os substratos pré-fabricados de alta densidade são ideais para testes de mobilidade, pois permitem testes rápidos e eficientes de grandes volumes de OFETs. A placa de teste OFET de alta densidade Ossila foi projetada para este propósito.

Em vez de usar uma estação de sonda mecânica para testar OFETs, que é um processo delicado e demorado, a placa de teste de alta densidade permite o teste de múltiplos OFETs ao mesmo tempo; simplesmente solte o substrato na ranura de teste, segure a tampa push-fit e conecte a placa através de seus conectores BNC a uma série de equipamentos de teste.

Chip britânico Ossila S403 OFET chip de teste S411

A placa foi projetada de forma inteligente para reduzir o ruído externo, a corrente de vazamento e a capacitança de desvio, a fim de fornecer testes fiáveis e precisos de baixa corrente.

High density FET mobility test board O Ossila High Density OFET Test Board, projetado para testes rápidos e confiáveis de múltiplos OFETs.

Especificações

Fabricamos substratos de silício dopados com p com uma camada superior de óxido de silício isolante de 300 nm. Platina é depositado no topo para produzir eletrodos de porta que também cobrem a borda condutora do substrato. Portanto, é essencial que a borda do substrato seja condutora e não coberta com a camada de óxido de silício. Caso contrário, o óxido de silício deve ser arranhado dos lados dos substratos antes de poder ser usado.

Prefabricated OFET: gate electrode detailsEstrutura dos nossos substratos pré-fabricados de silício/óxido de silício.

Na Ossila otimizamos o processo de fabricação para garantir que as bordas sejam condutoras e o substrato imediatamente pronto para uso.

Fabricamos nossos substratos de alta densidade com 5 nm de titânio e 100 nm de platina.

Para detalhes individuais e desenhos dimensionais de cada tipo de substrato veja abaixo.

Substrato linear de comprimento variável de canal de 1 mm x 2 µm (S403)

Geometria linear
Arrançamento 20 OFETs, 5 larguras de canal
Largura do canal 1 milímetro
Comprimento do canal 2, 4, 6, 8, and 10 µm

Variable platinum OFET schematicDesenho dimensional de substrato de 1 mm x 2 µm.

Substrato interdigitado de comprimento constante de canal de 22,6 mm x 5 µm (S411)

Geometria Interdigitado
Arrançamento 20 identical OFETs
Largura do canal 22.6 mm
Comprimento do canal 5 µm

interdigitated 50 micron channel HD FET schematicDesenho dimensional de um dos dispositivos de 22,6 mm x 5 µm no substrato de alta densidade.