Laser semicondutor

NegociávelAtualização em02/10

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O laser semicondutor usa o laser DFB com estrutura de armadilha quântica, refrigerador semicondutor incorporado, processo de embalagem padrão para implementar o embalagem de fibra de cauda em forma de borboleta, estrutura compacta e pequeno volume; O laser ganha a confiança dos clientes com potência estável, comprimento de onda estável e alta taxa de confiança, e é amplamente utilizado no campo de comunicações de fibra óptica.

Detalhes do produto

Os lasers semicondutores usam uma estrutura de armadilha quântica.Laser DFBRefrigerador semicondutor incorporado, processo de embalagem padrão para obter embalagem de fibra de cauda de borboleta, estrutura compacta e pequeno tamanho; O laser com potência estável, comprimento de onda estável, alta taxa de confiança ganha a confiança dos clientes e é amplamente utilizado no campo da comunicação de fibra óptica. Sob o controle de temperatura de alta precisão do refrigerador semicondutor, a potência do laser é altamente estável e o comprimento de onda é altamente estável, o que faz com que o laser seja amplamente utilizado no campo dos sensores de fibra óptica.

　　Laser semicondutorCondições de trabalho limite:

parâmetro	Símbolo	Valor do parâmetro	unidade
Corrente positiva do diodo laser	Se(LD)	100	mA
Tensão inversa do diodo laser	Vr(LD)	2	O V
Corrente de trabalho do detector de retroiluminação	Se(PD)	2	mA
Detector de retroiluminação voltagem inversa	Vr(PD)	20	O V
Corrente de trabalho do refrigerador	ITEC	2.4	Um
Tensão de trabalho do refrigerador	VTEC	2.9	O V
Temperatura de funcionamento	Topr	-20~+70	℃
Temperatura de armazenamento	Tstg	-40~+85	℃
Temperatura / Tempo de soldagem de fio	Tsld	260/10	℃ / s

Parâmetros técnicos:

parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Mínimo	Tipo	Máximo	unidade
Potência de iluminação	PO	CW	3		10	em mW
Corrente limiar	Ith	CW	-	12	18	mA
Corrente de trabalho	Iop	CW, 5mW	-	-	50	mA
Tensão de trabalho	Vop	CW e 5mW	-	1.5	2.0	O V
Eficiência de inclinação	η	CW e 5mW	0.05	0.1	-	mW / mA
Comprimento de onda pico	λp	CW, 5mW@25 ℃	λc-1	λc	λc+1	nm
Estabilidade do comprimento de onda	λs	CW, 5mW@25 ℃	- 0,1 nm		+0.1	em dB
Proporção de supressão de molde lateral	SMSR	CW, 5mW	35	-	-	nm
Largura espectral (20dB)	[UNK]965151λ	CW, 5mW	-	0.2		nm / ℃
Coeficiente de deriva de comprimento de onda com mudança de temperatura	Ð965151;λ/T	Corrente de trabalho estável		0.1		nm / ℃
Coeficiente de deriva de comprimento de onda com mudança de corrente	λ / I	Temperatura de funcionamento estável		0.01		nm / mA
Termoresistores	Rth	Ttherm = 25 ℃	9.5	10	10.5	do kΩ

Tabela de referência de absorção de gás:

Composição do gás	Comprimento de onda absorvido
O2	761nm e 764nm (VCSEL)
HF	1268.7nm, 1273nm e 1278nm
H2O	1368,59nm e 1392nm
NH3	1512nm
C2H2	1532,68 nm
CO	1567 nm
H2S	1578 nm
CO2	1580nm, 2.0um
C2H4	1620nm e 1627nm
O CH4	1647nm, 1650,9nm, 1653,7nm, 1660nm
HCl	1742nm

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