A tecnologia de análise de espectro completo da estrutura de membrana multicamada do contorímetro de espessura de membrana é um avanço fundamental na atual área de fabricação de semicondutores, exibições e dispositivos ópticos. Esta tecnologia permite a medição em tempo real sincrônica da espessura da membrana de múltiplas camadas e do contorno da superfície tridimensional através da interferometria de resolução espectral de exposição única, resolvendo o problema da baixa eficiência da medição ponto a ponto do elipsómetro tradicional e da dificuldade da interferometria de luz branca em separar sinais refletidos de múltiplas camadas.

Seu princípio central consiste em acoplar uma câmera de polarização pixelizada (PPC) com um espectrómetro de imagem para construir um sistema óptico que obtém quatro conjuntos de interferogramas de deslocamento de fase em uma ampla gama espectral. A fonte de luz usa uma lâmpada de halogênio de tungstênio de 400-800nm para obter iluminação uniforme através da iluminação Kohler, combinando o polarizador linear com um quarto de onda de desvio de decoloração para regular o estado de polarização do feixe, permitindo que a luz polarizada rectangular refletida pela amostra e pelo espelho de referência forme um padrão de interferência de deslocamento de fase na matriz do micropolarizador do PPC. Enlace de processamento de dados, onde as fases espectrais são extraídas de quatro subdiagramas de deslocamento de fase por meio de fórmulas específicas para separar componentes lineares e não lineares, onde as fases não lineares refletem mudanças na espessura da película fina e as fases lineares correspondem à altura da superfície. Combinando os dados de refletidão absoluta da calibração de folhas de silício nuas, a função de alvo de construção otimiza a espessura de cada camada e determina o contorno da superfície ajustando a fase total.

Tome a película fina de cinco camadas (Si3N4-SiO₂-SiON-SiO₂-Si3N4), por exemplo, a desvio padrão de medição 10 vezes é menor que 1,6 nm, desvio máximo de 14 nm, altamente alinhado com os resultados do elipsómetro; Reconstrução de altura de degraus de superfície em comparação com o degrômetro de sonda com desvio máximo inferior a 12nm. Sua tecnologia de junção horizontal baseada em varredura de linha permite medição de contorno de espessura tridimensional em grande área, equipada com uma câmera de alta resolução de pixels de 500W e um sensor de resolução AAE para garantir medições precisas de danos sem contato. Esta tecnologia tem sido amplamente utilizada na inspeção on-line das linhas de produção de semicondutores, fornecendo um forte suporte técnico para a garantia de qualidade dos materiais e a melhoria da eficiência da produção.