Microscópio de inspeção de waferA imagem da superfície do wafer é ampliada através de um sistema de lentes ópticas e projetada em óculos ou sensores de imagem para observação e análise. Alguns microscópios também usam diferentes métodos de iluminação e técnicas de contraste, como campos claros, campos escuros, diferenças de interferência diferencial (DIC), etc., para melhorar o contraste da imagem e tornar os defeitos e características estruturais mais visíveis.
Microscópio de inspeção de waferAs aplicações são as seguintes:
1, detecção de defeitos da superfície do wafer
Detecção de redundância: com amplificação de 50 a 1000 vezes, em combinação com iluminação óptica MIX, posicionamento preciso de partículas de nanoescala para poeira de microescala para evitar falhas nas propriedades elétricas.
Análise de danos mecânicos: Detecta arranhões em arco causados pela moagem mecânica química (CMP) e avalia o impacto dos danos na conectividade do circuito.
Detecção de defeitos de cristal: Use a tecnologia DIC para identificar erros de linhas deslizantes e camadas de empilhamento para melhorar a taxa de bom produto.
2, controle de qualidade do processo de fotografia
Detecção de precisão de alinhamento de padrões: verifique se o padrão de circuito formado pela exposição fotográfica e imagem atende aos requisitos de projeto para evitar desvios de largura de linha.
Análise da uniformidade da largura da linha: Medir a variação da largura da linha através de dispositivos CD-SEM (imagem de feixe de eletrões) ou OCD (dimensão crítica óptica) para garantir a estabilidade do processo.
Teste de embalagem e análise de falhas
Inspeção de qualidade do ponto de solda: deteta a forma do ponto de solda, tamanho e defeitos de solda falsa, curto-circuito e outros, para garantir a confiabilidade do empacotamento.
Alinhamento entre camadas e medição da espessura: Verifique a precisão da sobreposição de camadas metálicas/médias múltiplas, medir a variação da espessura entre camadas e atender às especificações de projeto.
Análise por microscópio eletrônico de transmissão (TEM): fornece imagens em seção com resolução atômica, combinada com análise espectral de energia da distribuição dos elementos para localizar a causa da falha.
4. Apoio ao processo
Detecção de semicondutores compostos: imagem de defeito de substrato como carboneto de silício (SiC), suporte para o canal de detecção fotogênica para apresentar claramente defeitos de grade.
Observação estrutural 3D: Detecta a precisão de alinhamento e a qualidade da interface das estruturas empilhadas em 3D por meio de amostras de inclinação e rotação em vários ângulos.