Gravadora de silício profundo

1.Visão geral do produto:

O PSE V300 é usado principalmente para gravura de silício profundo de 12 polegadas, com processos Bosch/Non-Bosch para abranger áreas de múltiplos processos. A máquina utiliza configuração profissional avançada de hardware de resposta rápida e controle de processo de software para o método de processo cíclico da Bosch, combinando tecnologia de processo avançada para alcançar um bom desempenho de processo ultra-alto em relação à largura e profundidade, configurando uma plataforma de múltiplas câmaras para atender às necessidades de produção de energia em massa.

2.EquipamentoAplicações：

Tamanho do wafer

8/12Compatível com polegadas

Materiais aplicáveis

Silício, óxido de silício, nitreto de silício

Processo aplicável

TSV 2.5D e 3DIsolamento de gravura e fundo/corrosão capacitiva,MEMSGravação

Área de Aplicação

Circuitos integrados, embalagens avançadas, semicondutores de potência, sensores de imagem, sistemas micromecânicos

3.Benefícios：

Método de gravura: Adotando a combinação de gás rápido e sistema de controle de comutação de rádio-frequência, é capaz de controlar com precisão a forma da parede lateral na gravação de silício profundo, alcançar a parede lateral sem danos e a largura da linha sem danos, e a uniformidade da gravação, a escolha é melhor 135。

Design estrutural: o design de uma única placa por câmara, com melhor uniformidade do campo de fluxo de ar e desempenho do processo de redondeza real, garante uma melhor qualidade e estabilidade do processo de fabricação de dispositivos semicondutores. A máquina pode ser configurada simultaneamente 6 Uma câmara com excelente capacidade e desempenho 15。

Proteção da borda do wafer: otimizando o dispositivo de proteção da borda do wafer da máquina, melhorando eficazmente a eficiência do produto, o seu efeito é melhor do que os indicadores atuais do produto da indústria 。

Aplicação do processo: totalmente aplicado em todos os principais países 12 polegadas mainstreamFabfábrica, não sóTSVLinha de produção em massa principal, também expandido para dispositivos de potência,CEIoutras áreas. Por exemplo, noTSVExcelente desempenho no processo; Em2.5DNo processo, pode ser satisfeitoBVR(exposição de orifício traseiro) eBFRSoluções de processo de gravação para diferentes necessidades de processo (exposição plana traseira)。

4. Características do equipamento

compatívelBosch/Não-BoschProcesso para alcançar a cobertura de áreas de múltiplos processos

Sistema de admissão otimizado eESCSistema para melhorar a uniformidade

Sistema de admissão rápida para garantir altas taxas de corrosão,Scalloppequeno

Controle de forma com alta proporção de profundidade e largura