Gravadora de silício profundo

NegociávelAtualização em05/07

Modelo

Natureza do fabricante: Produtores

Categoria do produto

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Visão geral

A gravuradora de silício profundo HSE P300 é usada principalmente para gravura de silício de 12 polegadas. Adotando o layout de estrutura de cluster, pode reduzir a ocupação e aumentar a capacidade de produção. O sistema é composto principalmente por módulos de transmissão, módulos de processo, componentes de zona cinzenta, armários de energia, etc. Pode automatizar o descarregamento e o processo automático. O HSE M200 é usado principalmente em processos de gravura seca de silício profundo de 4/6/8 polegadas. Podem ser configurados sistemas de transmissão manual e automático. O produto é equipado com uma fonte de plasma bidistérico de alta densidade, entrada de ar na borda central, troca rápida de gás, sistema de eletrodos sob pulso de baixa frequência, que pode alcançar alta velocidade, alta proporção de profundidade e largura e rugosidade extremamente pequena da parede lateral.

Detalhes do produto

1.Visão geral do produto:

O HSE M200 é usado principalmente em processos de gravura seca de silício profundo de 4/6/8 polegadas. Podem ser configurados sistemas de transmissão manual e automático. O produto é equipado com uma fonte de plasma bidistérico de alta densidade, entrada de ar na borda central, troca rápida de gás, sistema de eletrodos sob pulso de baixa frequência, que pode alcançar alta velocidade, alta proporção de profundidade e largura, alta uniformidade e rugosidade extremamente pequena da parede lateral. O HSE P300 é usado principalmente para gravação de silício de 12 polegadas. Adotando o layout de estrutura de cluster, pode reduzir a ocupação e aumentar a capacidade de produção. O sistema é composto principalmente por módulos de transmissão, módulos de processo, componentes de zona cinzenta, armários de energia, etc. Pode automatizar o descarregamento e o processo automático.

2.EquipamentoAplicações：

HSE M200

Tamanho do wafer:

8polegadas e abaixo

Materiais aplicáveis:

silício,SOI、SOG

Processo aplicável:

Gravação de silício profundo

Área de Aplicação:

Sistemas Micromecânicos, Área de Pesquisa Científica

HSE P300

Tamanho do wafer:

8/12Compatível com polegadas

Materiais aplicáveis:

Silício, óxido de silício, nitreto de silício

Processo aplicável:

Gravação profunda de tanque, gravura de furo profundo, gravura de veículo de silício em embalagem de ventilador, gravura de cobre roudo, etc.

Área de Aplicação:

Embalagem avançada

3. Características do equipamento

HSE M200

Fonte de plasma dupla e entrada de ar de duas zonas para alta uniformidade de gravura e alta taxa de gravura

Forte compatibilidade, variedade de processos, ampla gama de aplicações e confiabilidade do sistema

Configuração flexível do sistema para diferentes aplicações em P&D, linhas de teste e linhas de produção em massa

Baixos custos de propriedade e custos operacionais

HSE P300

Aumente significativamente a taxa de gravação com fontes de plasma estéreo de alta densidade

Fonte de plasma dupla e entrada de ar dupla para garantir maior uniformidade

Controle de software totalmente automatizado, alta produtividade

Baixos custos de propriedade e custos operacionais

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