Foco de feixe de íons e microscópio eletrônico de varredura – FIB-SEM

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A ZEISS Crossbeam combina o poderoso desempenho de imagem e análise dos espelhos de microscópio eletrônico de varredura de lançamento de campo (FE-SEM) com a excelente capacidade de processamento da nova geração de feixes de íons focados (FIB). Seja para corte, imagem ou análise 3D, a série Crossbeam melhora significativamente sua experiência de aplicação.

Detalhes do produto

Desenhado para alto fluxo3DAnálise e preparação de amostras sob medidaFIB-SEMA ZEISS Crossbeam combina o poderoso desempenho de imagem e análise dos espelhos de microscópio eletrônico de varredura de lançamento de campo (FE-SEM) com a excelente capacidade de processamento da nova geração de feixes de íons focados (FIB). Seja para corte, imagem ou análise 3D, a série Crossbeam melhora significativamente sua experiência de aplicação. Com o sistema óptico eletrônico Gemini, você pode obter informações reais sobre amostras a partir de imagens de microscópio eletrônico de varredura (SEM). O espelho Ion-sculptor FIB introduz um novo método de processamento FIB que reduz danos à amostra e melhora a qualidade da amostra, acelerando o processo experimental.

Seja para instituições científicas ou laboratórios industriais, laboratórios de usuário único ou plataformas experimentais multiusuário, se você deseja obter resultados experimentais de alta qualidade e de alto impacto, o design modular da plataforma ZEISS Crossbeam permite que você atualize seu sistema de instrumentos a qualquer momento de acordo com as mudanças nas suas necessidades.

Parâmetros técnicos:

	O ZEISS Crossbeam 350	Desenvolvimento do ZEISS Crossbeam 550
Microscópio eletrônico de varredura (SEM)	Espelho Gemini I	Espelho Gemini II
	Opções de pressão variável	Opcional Tandem Decel
	Corrente de eletrônicos: 5 pA – 100 nA	Corrente de eletrônicos: 10 pA – 100 nA
Foco do feixe de íons (FIB)	Resolução: 3 nm @ 30 kV (método estatístico)	Resolução: 3 nm @ 30 kV (método estatístico)
Foco do feixe de íons (FIB)	Resolução: 120 nm @ 1 kV & 10 pA (opcional)	Resolução: 120 nm @ 1 kV e 10 pA
Detectores	Inlens SE, Inlens EsB, VPSE (detector de eletrônicos secundários de pressão variável), SESI (detector de íons secundários de eletrônicos secundários), aSTEM (detector de eletrônicos de transmissão de varredura), aBSD (detector de retrodispersão)	Inlens SE, Inlens EsB, ETD (detector Everhard-Thornley), SESI (detector de íons secundários de eletrônicos secundários), aSTEM (detector de eletrônicos de transmissão de varredura), aBSD (detector de retrodispersão) e CL (detector de fluorescência catódica)
Especificações e portos do armazém de amostras	Armazém de amostras padrão com 18 interfaces configuraveis	Armazém de amostras padrão com 18 interfaces configuráveis / Armazém de amostras grande com 22 interfaces configuráveis
Estação de carregamento	X / Y = 100 milímetros	X/Y = 100 mm / X/Y = 153 mm
	Z = 50 mm, Z' = 13 mm	Z = 50 mm, Z' = 13 mm / Z = 50 mm, Z' = 20 mm
	T = -4° a 70°, R = 360°	T = -4° a 70°, R = 360° / T = -15° a 70°, R = 360°
Controle de carga	Pistola eletrônica	Pistola eletrônica
	Neutralizador de carga local	Neutralizador de carga local
	Pressão variável	-
gás	Sistema de injeção de gás de canal único: Pt, C, SiOx, W, H2O	Sistema de injeção de gás de canal único: Pt, C, SiOx, W, H2O
gás	Sistema de injeção de gás multicanal: Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2	Sistema de injeção de gás multicanal: Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2
Resolução de armazenamento	32 k x 24 k (com o módulo de tomografia 3D ATLAS 5 opcional, até 50 k x 40 k)	32 k x 24 k (com o módulo de tomografia 3D ATLAS 5 opcional, até 50 k x 40 k)
Análise opcional	EDS、EBSD、WDS、SIMS， Outras opções disponíveis, se necessário.	EDS、EBSD、WDS、SIMS， Outras opções disponíveis, se necessário.
Vantagens	A compatibilidade das amostras pode ser significativamente ampliada graças ao uso de padrões de pressão variável e amplos experimentos in situ.	Análise e imagem com alto fluxo e alta resolução em todas as condições.

聚焦离子束和扫描电子显微镜 – FIB-SEM

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