- Telefone
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Endereço
18º andar, Edifício de Desenvolvimento de Pequim, 5, Dongshan Ring North Road, Pequim
Categorias do produto
- Medidor de painel
- Solução MES integrada CyberPlant
- Analisadores clínicos, sistemas de inspeção, etc.
- Espectrofotômetro de absorção atómica (AA)
- Microscópio de força atômica
- Série de transmissores de pressão diferencial
- Titrador de Potencial・Titrador de Humidade Calfisch
- Microscópio eletrônico (SEM/TEM/STEM)
- Instrumentos periféricos
- Instrumentos de análise espectral (UV-Vis/NIR, FL)
- Cromatográfica líquida de alta eficiência e analisador de aminoácidos (HPLC/AAA)
Hitachi High-tech (Xangai) International Trade Co., Ltd.
Grinder iônico IM4000II
NegociávelAtualização em05/20
- Modelo
- Natureza do fabricante
- Produtores
- Categoria do produto
- Local de origem
Visão geral
O modelo padrão IM4000II do triturador iônico Hitachi é capaz de fazer moagem em secção e plana. Também é possível moar seções para diferentes amostras por meio de várias funções opcionais, como controle de baixa temperatura e transferência de vácuo.
Detalhes do produto
Grinder iônico IM4000II
O modelo padrão IM4000II do triturador iônico Hitachi é capaz de fazer moagem em secção e plana. Também é possível moar seções para diferentes amostras por meio de várias funções opcionais, como controle de baixa temperatura e transferência de vácuo.
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Características
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Opções
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Especificações
Características
Moeamento em secção de alta eficiência
IM4000II com capacidade de moagem em secção de até 500 µm/h*1Pistola de íons de alta eficiência acima. Assim, até mesmo materiais rígidos podem preparar amostras de secção de forma eficiente.
- *1
- A tensão acelerada de 6 kV destaca a placa Si de 100 µm da borda da placa de proteção e processa a profundidade máxima de 1 hora
Amostra: Folha Si (2 mm de espessura)
Tensão de aceleração: 6,0 kV
Ángulo de oscilação: ±30°
Tempo de moagem: 1 hora
Se o ângulo de oscilação mudar durante a moagem de secção, a largura e a profundidade do processamento também mudarão. A figura abaixo mostra os resultados após a moagem em secção da placa Si com um ângulo de oscilação de ±15°. Além do ângulo de oscilação, outras condições são consistentes com as condições de processamento acima. Ao comparar com os resultados acima, a profundidade do processamento pode ser observada.
Para amostras em profundidade onde o alvo de observação está localizado, a amostra pode ser moída em secção mais rápido.
Amostra: Folha Si (2 mm de espessura)
Tensão de aceleração: 6,0 kV
Ángulo de oscilação: ±15°
Tempo de moagem: 1 hora
Moedor composto
Moeamento em secção
- Mesmo com materiais compostos de diferentes durezas e velocidades de moagem, a superfície de moagem suave pode ser preparada com o IM4000II
- Otimizar as condições de processamento para reduzir os danos causados às amostras por feixes de íons
- Capaz de carregar amostras de até 20 mm (W) × 12 mm (D) × 7 mm (H)
Principais usos da moagem em secção
- Preparação de secções de amostras de metais e materiais compostos, materiais poliméricos, etc.
- Preparação de secções de amostras com posições específicas, como fendas e lacunas
- Preparação de secções de amostras de camadas múltiplas e pré-tratamento da análise EBSD da amostra
Moção plana
- Processamento uniforme dentro da faixa de aproximadamente 5mm de diâmetro
- Ampla gama de aplicações
- Amostras com diâmetro máximo de 50 mm x altura de 25 mm
- Possibilidade de rotação e oscilação (± 60 graus, ± 90 graus de oscilação) 2 métodos de usinagem
Principais usos da moagem plana
- Eliminação de pequenos arranhões e deformações difíceis de eliminar na moagem mecânica
- Remoção da superfície da amostra
- Elimina camadas danificadas devido ao processamento FIB
Opções
Função de controle de baixa temperatura*1
O nitrogênio líquido é carregado em um tanque de Duwa como fonte de resfriamento para a amostra de resfriamento indireto. O IM4000II é equipado com controle de temperatura para evitar que as amostras de resina e borracha resfriam demais.
- *1 Deve ser encomendado simultaneamente com o host.
Moeamento a temperatura normal
Refrigeração (-100°C)
- Amostra: material de isolamento funcional (papel) que reduz o uso de plásticos
Função de transferência de vácuo
As amostras processadas após a moagem iônica podem ser transferidas diretamente para o SEM sem entrar em contato com o ar*1、 AFM*2Para cima. A função de transferência de vácuo e a função de controle de baixa temperatura podem ser usadas simultaneamente. (A função de transferência de vácuo de moagem plana não é aplicável à função de controle de baixa temperatura).
- *1 Apenas suporte para Hitachi FE-SEM com posição de troca de transferência de vácuo
- *2 Apenas o Hitachi AFM de vácuo é suportado.
Microscópio corporal para observar o processo de processamento
A imagem à direita é um microscópio corporal usado para observar o processo de processamento de amostras. O microscópio trióptico equipado com uma câmera CCD permite a observação no monitor. Também é possível configurar um microscópio bióptico.
Especificações
| Conteúdo principal | |
|---|---|
| Utilização de gás | Argônio |
| Controle do fluxo de argão | Controle de fluxo de qualidade |
| Tensão acelerada | 0.0 ～ 6.0 kV |
| Dimensões | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
| Peso | Máquina principal 53 kg + bomba mecânica 30 kg |
| Moeamento em secção | |
| Velocidade de moagem mais rápida (material Si) | 500 µm/h*1acima |
| Tamanho máximo da amostra | 20(W）×12(D）×7（H）mm |
| Área de movimento da amostra | X ± 7 mm, Y 0 ~ + 3 mm |
| Função de processamento intermitente de feixe de íons Ativar/desligar Intervalo de tempo |
1 segundo a 59 minutos e 59 segundos |
| Ángulo de oscilação | ±15°, ±30°, ±40° |
| Função de moagem em secção ampla | - |
| Moção plana | |
| Máxima gama de processamento | φ32 mm |
| Tamanho máximo da amostra | Φ50 X 25 (H) mm |
| Área de movimento da amostra | X 0～＋5 mm |
| Função de processamento intermitente de feixe de íons Ativar/desligar Intervalo de tempo |
1 segundo a 59 minutos e 59 segundos |
| Velocidade de rotação | 1 rpm、25 rpm |
| Ángulo de oscilação | ± 60°, ± 90° |
| Ángulo de inclinação | 0 ～ 90° |
- *1 Destaque a placa Si de 100 µm da borda da placa de proteção e trabalhe durante 1 hora.
Opções
| Projetos | Conteúdo |
|---|---|
| Função de controle de baixa temperatura*2 | Amostras arrefecidas indiretamente por nitrogênio líquido, gama de temperatura: 0°C a -100°C |
| Panel de proteção super rígido | Tempo de uso aproximadamente 2 vezes maior do que a placa de proteção padrão (sem cobalto) |
| Observação do processo de processamento com microscópio | Multiplicador de ampliação 15 x a 100 x Bi- e Tri-óptico (CCD disponível) |
- *2 Deve ser encomendado simultaneamente com o host. Quando a função de controle de temperatura de refrigeração é usada, algumas funções podem ser limitadas.
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