Carburo de silício SiC equipamento de cristal longo

Carburo de silício SiC equipamento de cristal longo

É alcançar alta qualidadeSiCEquipamento profissional para o crescimento de cristais, síntese de matérias-primas de alta pureza e tratamento térmico de cristais de alta temperatura. Amplamente utilizado emSiCÁrea de crescimento de cristais, síntese de matérias-primas, tratamento térmico de cristais. Pode crescer uma lingota de 6/8 polegadas.

Carburo de silício SiC equipamento de cristal longo

O sistema de forno de vácuo é limitado ao valor de vácuo inferior de ≤5.0E-5Pa, taxa de aumento da pressão ≤3Pa / 12h, para garantir a estabilidade do crescimento do cristal

Crescimento inteligente e sistema de monitoramento, para alcançar a personalização precisa de vários processos, otimização de processo, monitoramento em tempo real de todo o processo de cristal longo, arquivo de visualização de dados

Novo projeto de bobina de aquecimento por indução para melhorar eficazmente a uniformidade e a estabilidade do aquecimento do campo térmico
O primeiro sistema de auto-inspeção PIM da indústria, redução eficazPerda de tempo de processo
Sistema de refrigeração a água estável e confiável, realizando vias de águaMonitoramento em tempo real da temperatura e do fluxo da tubulação para garantir a estabilidade do campo de temperatura ambiente de crescimento
Produção de substratos de carboneto de silício de classe P de 6 polegadas, microtubosDensidade de defeito <0,5 peças/cm²A resistência é de 0,015 a 0,0280.