- Telefone
-
Endereço
Quarto 208, Edifício 5, No. 88, Rua Hane Norte, Distrito Songjiang, Xangai
Categorias do produto
Shanghai Zhengjun Indústria Co., Ltd.
TH521 Analisador de parâmetros de semicondutores
NegociávelAtualização em05/25
- Modelo
- Natureza do fabricante
- Produtores
- Categoria do produto
- Local de origem
Visão geral
O Analisador de Parâmetros de Semicondutores TH521 é uma solução abrangente para o design de circuitos que ajuda os projetistas de circuitos eletrônicos de potência a selecionar o dispositivo de potência adequado para suas aplicações e a valorizar seus produtos eletrônicos de potência. Pode avaliar todos os parâmetros relevantes do dispositivo em diferentes condições de trabalho, incluindo parâmetros IV (tensão de ruptura e resistência de condução), capacitor FET de três extremidades, carga de porta e perda de energia. Os analisadores de parâmetros de semicondutores da série TH521 para projetos de circuitos possuem funcionalidades completas de rastreador de curva, entre outras.
Detalhes do produto
TH521 Analisador de parâmetros de semicondutoresApresentação:
Analisador de parâmetros de semicondutoresTH521-35-1800CÉ uma solução abrangente para o design de circuitos que ajuda os projetistas de circuitos eletrônicos de potência a escolher o dispositivo de potência adequado para suas aplicações, permitindo que seus produtos eletrônicos de potência funcionem.*Grande valor. Pode avaliar todos os parâmetros relevantes do dispositivo em diferentes condições de trabalho, incluindoIVParâmetros (tensão de ruptura e resistência de condução), três extremidadesFETCapacitação, carga de porta e perda de energia. Para design de circuitosO TH521A série de analisadores de parâmetros de semicondutores oferece funcionalidades completas de rastreador de curva, entre outras.
Analisador de parâmetros de semicondutoresTH521-35-1800CApresentação detalhada
O TH521Introdução ao Analisador de Parâmetros de Semicondutores da Série:
O Analisador de Parâmetros de Semicondutores da Série TH521 é uma solução abrangente para o design de circuitos que ajuda os projetistas de circuitos eletrônicos de potência a escolher o dispositivo de potência adequado para suas aplicações.*Grande valor. Pode avaliar todos os parâmetros relevantes do dispositivo em diferentes condições de trabalho, incluindoIVParâmetros (tensão de ruptura e resistência de condução), três extremidadesFETCapacitação, carga de porta e perda de energia. Para design de circuitosO TH521A série de analisadores de parâmetros de semicondutores oferece funcionalidades completas de rastreador de curva, entre outras.
TH521Características do Analisador de Parâmetros de Semicondutores:
O TH521Características gerais
• Até3.5kV/1800AAmpla gama de trabalho
• de -50 °O Cpara +250 °O CTeste térmico rápido totalmente automático
• Dados técnicos para a criação automática de dispositivos de potência (semicondutores e componentes)
• Funcionalidade de registro automático para evitar a perda de dados
• IARedação auxiliarPythonScript de teste
TH521 IVCaracterísticas do pacote
• Automação rápida de dispositivos em embalagens e wafersIVmedição （Ron、BVvazamento,Vth、VsatEspere)
• estreitoIVLargura do pulso (*estreito 10 μsEvita o aquecimento espontâneo do dispositivo e testa o dispositivo com mais precisão Desempenho Internacional
• Visão de osciloscópio (visão de campo temporal) para monitorar a tensão real/Forma de onda de pulso de corrente para Medição verdadeira
• Configurações podem ser flexibilmente expandidas, adicionandoCVeQgA corrente varia de20 AExpandir para200A、600 Aou1800 A
O TH521Características completas do pacote
• IVTodas as características do pacote
• Dispositivos de embalagem de medição em3.5 kVCapacitação de entrada, saída e transmissão inversa de transistores
（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres(e resistência da porta)Rg）
• Medição da carga elétrica do portão do dispositivo encapsulado (Qg(Curvas)
• Cálculo de perdas de potência (perdas de condução, condução e interruptor)
O TH521Parâmetros técnicos do analisador de parâmetros de semicondutores da série:
MCSMU | |||
Gama de tensão, resolução e precisão | |||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (% de MV + MV） |
*Grande corrente |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A |
20V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A |
40 voltos |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
*Alta tensão |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V |
1mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V |
10mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V |
100mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V |
1A |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V |
Resolução típica |
6½Bits |
||
*Grande tensão |
±30V |
||
*Pequena corrente |
10pA |
||
Pulso*Grande proporção de ocupação |
5%(O pico excede100mAvez） |
||
Pulso*Largura pequena |
10μs |
||
Pulso*Largura grande |
100ms(O pico excede100mAvez） |
||
Corrente contínua*Grande corrente |
±100mA |
||
Pulso*Grande pico |
±1A |
||
Pulso*Valor de base grande |
±50 mA(O pico excede100mAvez） |
||
HCSMU | |||
Gama de tensão, resolução e precisão | |||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (% de MV + MV） |
*Grande corrente |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A |
20V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A |
40 voltos |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
*Alta tensão |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40 voltos |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40 voltos |
1mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40 voltos |
10mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40 voltos |
100mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40 voltos |
1A |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40 voltos |
20A |
20μA |
±(0.4 + 2E-3 + Vo x 1E-4) |
20V |
Resolução típica |
6½Bits |
||
*Grande tensão |
±40 voltos |
||
*Pequena corrente |
10pA |
||
Pulso*Grande proporção de ocupação |
1%(O pico excede1Avez） |
||
Pulso*Largura pequena |
50μs |
||
Pulso*Largura grande |
1ms(O pico excede1Avez） |
||
Corrente contínua*Grande corrente |
±100mA |
||
Pulso*Grande pico |
±20A |
||
Pulso*Valor de base grande |
±100mA(O pico excede1Avez） |
||
MPSMU | |||
Gama de tensão, resolução e precisão | |||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (% de MV + MV） |
*Grande corrente |
100mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100mA |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100mA |
10V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100mA |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20mA(≥40V) 50mA(≤40V) |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
*Alta tensão |
1nA |
1fA |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100nA |
100fA |
±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1mA |
1nA |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100mA |
100nA |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20V |
Resolução típica |
6½Bits |
||
*Grande tensão |
±100V |
||
*Pequena corrente |
1fA |
||
HVSMU | |||
Gama de tensão, resolução e precisão | |||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição±(%+mV) |
*Grande corrente |
200V |
200 uV |
±(0.03+40) |
10mA |
500V |
500uV |
±(0.03+100) |
10mA |
1500V |
1,5 milhares de volts |
±(0.03+300) |
10mA |
3500V |
3,5 mV |
±(0.03+600) |
5 mA |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
*Alta tensão |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Resolução típica |
6½Bits |
||
*Grande tensão |
±3500V |
||
*Pequena corrente |
10fA |
||
UHCU | ||
Gama de tensão, resolução e precisão | ||
Medição de tensão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição±(%+mV) |
60V |
100μV |
±(0.2+10) |
Faixa de corrente, resolução e precisão |
saída/Resolução de medição |
saída/Precisão da medição (%+A+A） |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Pulso*Grande proporção de ocupação |
0.4%（600Aquantidade);0.1%（1800ADimensão） |
|
Pulso*Largura pequena |
10μs |
|
Pulso*Largura grande |
1ms（600Aquantidade);500μs（1800ADimensão） |
|
Pulso*Grande pico |
200A、600A、1800ADimensão |
|
MFCMU | ||
|
frequência |
Faixa de frequência |
1kHz ~ 10MHz |
*Resolução de baixa frequência |
1mHz |
|
Precisão de frequência |
±0.05% |
|
|
ACNível |
Escala de níveis |
0~250mV |
Resolução |
0.1mVrms |
|
Precisão |
±(10%*Configurar o valor+ 2mV) |
|
|
DCDesviés |
alcance |
0~±25V |
Resolução |
1mV |
|
Precisão |
1%*Configurar a tensão+ 8mV |
|
Impedência de saída |
100Ω |
|
Configuração do Teste |
Quarto par |
|
Tempo de teste |
rápido2,5 milímetrosVelocidade média90 segundoslento220ms |
|
capacitância |
Área de exibição |
0.00001pF~9.99999F |
*Alta precisão |
0.05% |
|
O TH521Tabela de seleção do analisador de parâmetros de semicondutores da série:
TH521-35-20 |
IV: 3500V / 20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |
O TH521Aplicações do Analisador de Parâmetros de Semicondutores:
• Dispositivos de potência semicondutores
Diodos, triodos,MOSFET、IGBTTeste de capacitação parasitária de tiristores, circuitos integrados, chips fotoeletrônicos,C-VAnálise de características
• Materiais semicondutores
corte de wafer,C-VAnálise de características
• Materiais de cristal líquido
Análise da constante elástica, corte de cristais líquidos
• Componentes capacitivos
capacitorC-VTeste e análise de características, análise de teste de sensores capacitivos
Produto semelhante Recomendar
