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Apartamento 1101, Edifício Venus, 1, Hanjing Road, Tianhe District, Guangzhou, província de Guangdong
Guangzhou Guorun Optoelectronics Technology Co., Ltd.
Apartamento 1101, Edifício Venus, 1, Hanjing Road, Tianhe District, Guangzhou, província de Guangdong
Fonte terahertz-Fonte de onda terahertz 100GHz-TERASENSE Fonte de luz terahertz Descrição do produto:
A TERASENSE desenvolveu sistemas e dispositivos de imagem de terahertz e Ásia-Pacífico para a produção de detectores de ondas de terahertz de funcionamento a temperatura ambiente e geradores de terahertz de alta potência para materiais semicondutores usando novas tecnologias. A fonte de terahertz TeraSense (diodo IMPATT) é uma classe de dispositivos de geração de ondas de microondas e de hertz muito eficientes na Ásia-Pacífico. Sua faixa de frequência de trabalho é de cerca de 3-400 GHz, com a principal vantagem de ter uma alta potência de saída e um compacto e compacto embalagem. Os diodos IMPATT têm uma largura de banda de frequência de trabalho muito estreita, por isso o tamanho interno do diodo deve ser projetado de acordo com a frequência correspondente. Além disso, os geradores baseados em IMPATT têm o potencial de alcançar níveis mais altos de potência de saída em comparação com outros tipos de diodos de resistência negativa de microondas. O gerador IMPATT também provou ser uma das fontes de energia de alta frequência e alta potência mais eficientes e econômicas, com uma longa vida útil e operação estável e confiável. Terasense agora oferece uma nova geração de fontes de terahertz. O diodo IMPATT atualizado é equipado com um isolador de proteção que melhora significativamente a estabilidade da potência de saída. E agora há duas opções de saída redonda e saída em forma de corna para os clientes escolherem, com flexibilidade para combinar com câmeras terahertz em linha e face.
As fontes de terahertz da série TeraSense (diodos IMPATT), também conhecidos como diodos de deriva dupla de silício, têm uma área de transmissão de 0,6 μm e são instalados em um dissipador de cobre. As camadas no diodo de deriva dupla são: região de dopagem pesada (p+), região de dopagem média (p+), região de dopagem moderada (n+) e região de dopagem pesada (n+). As regiões (p+) e (n+) permitem a formação de contatos ohmicos com circuitos externos. O dispositivo depende da resistência negativa para gerar e manter a oscilação. Quando a frequência é otimizada para 100 GHz, a potência típica de saída de rádio-frequência (rfpower) dessa fonte de terahertz pode chegar a 100 mW. Isso permite que eles possam ser usados com multiplicadores para alcançar frequências dentro do espectro de terahertz distante.

Ámbito de aplicação:
Acessórios opcionais:
Parâmetros técnicos:
Tipo-I (IMPATT-100-LS-cH/ptfe)
Tipo II (IMPATT-100-LS-fH/mirr)
Tipo III (MPATTx4-100/400-LS-fH/mirr)
Caso de aplicação:
