Máquina de ligação de wafer

EVG 810 LT Sistema de Ativação de Plasma LowTemp™

EVG 810LT O LowTemp™Sistema de ativação de plasma

aplicável aSOI，MEMSSistema de ativação de plasma a baixa temperatura para semicondutores compostos e ligação de substratos avançados

Dados técnicos

EVG810 LT baixa temperatura™ O sistema de ativação de plasma é uma unidade independente de câmara única com operação manual. A câmara de tratamento permite o tratamento isotópico (os wafers são ativados um por um e ligados no exterior da câmara de ativação de plasma).

Características

Ativação de plasma superficial para ligação a baixa temperatura (fusão)/Ligações moleculares e intermediárias)

Máquina de ligação de waferfabricadoZuiDinâmica rápida

Sem processo úmido

Refrigeração a baixa temperatura (ZuiAlto400°C(abaixo)ZuiAlta resistência de ligação

aplicável aSOI，MEMSSemicondutores compostos e adesão de substratos avançados

Alta compatibilidade com materiais (incluindoCMOS）

do EVG810 LTDados técnicos

Diâmetro do wafer (tamanho do substrato):50-200、100-300milímetro

baixa temperatura™ Sala de Ativação de Plasma

Gás de processo:2Tipo de gás de processo padrão (N2eO2）

Controlador de fluxo de massa universal: auto-calibração (até20.000 sccm）

Sistema de vácuo:9x10-2 mbar

A abertura da câmara/Desligado: Automação

Carga da câmara/Desinstalação: Manual/Substrato colocado no pino de carga)

Funções opcionais

Cartuchos para diferentes tamanhos de wafer

Ativação de íons sem metal

Outros gases de processo para misturas de gases

Sistema de alto vácuo com bomba de turbina:9x10-3 mbarPressão básica

Conformidadebaixa temperatura™ Sistema de materiais de ligação ativada ao plasma

Si：Si / Si，Si / Si(Oxidação térmica,Si(oxidação térmica)/ Si(oxidação térmica)

TEOS / TEOS(oxidação térmica)

Isolador Germânio (GeOIde)Si / Ge