Abaixo estão os processos específicos para revestir a película condutora usando um revestimento de pulverização de magnetrônio de RF para amostras de eletroscópio de varredura:

1) Preparação prévia

Escolha o alvo adequado: de acordo com as propriedades da película desejada, escolha o alvo correspondente, os comuns são ouro, platina, liga de ouro e palácio, prata, chumbo, cobre, cromo, antimónio, etc. Diferentes alvos afetam as características de desempenho da película condutora final formada.

Preparar o substrato (amostra): assegurar que a superfície da amostra a ser revestida esteja limpa e livre de poluição e, se necessário, realizar operações de pré-tratamento como moagem, polimento ou limpeza química para garantir uma boa adesão e efeitos de revestimento.

2. sistema de revestimento de pulverização de magnetrônio de radiofrequência bombear vácuo

Inicie o dispositivo relacionado com o equipamento: Ligue a água circulante, ligue a fonte de energia total e, em seguida, inicie a "bomba mecânica da câmara de revestimento" e a "bomba mecânica da câmara de amostras" e, em seguida, abra as duas válvulas de 35 ângulos até a posição máxima. Quando o vácuômetro de termopar mostra uma pressão inferior a 10pa, feche as duas válvulas de ângulo 35; Em seguida, abra a "válvula frontal da câmara de revestimento" e a "válvula frontal da câmara de amostra", inicie a bomba molecular e pressione o botão verde "executar". Por fim, abra a válvula do portão da câmara de revestimento e da câmara de amostras até que esteja totalmente aberta (virando o relógio para o fundo). Espere que a frequência da bomba molecular alcance o estado estável, por exemplo, a câmara de revestimento atinge 400Hz e a câmara de amostra atinge 450Hz. Neste momento, veja a mudança numérica na janela de visualização de vácuo e continue com os passos seguintes.

Monitoramento do vácuo: observe de perto o aumento do vácuo durante todo o processo até atingir o nível de vácuo elevado predeterminado. O ambiente de alto vácuo ajuda a reduzir a interferência das impurezas de gás no processo de pulverização, garantindo a qualidade e pureza do filme depositado.

3. Ajustar parâmetros de pulverização

Definição de parâmetros como potência de rádio-frequência, pressão de ar de trabalho, fluxo de gás e tempo de sedimentação: a configuração específica desses parâmetros deve ser determinada de acordo com o propósito experimental e o tipo de substrato, e a configuração razoável dos parâmetros é um fator-chave para garantir a uniformidade e a adesão da película fina. Por exemplo, o tamanho da energia do alvo de bombardeio iônico pode ser controlado ajustando a potência de RF; A pressão de trabalho e o fluxo de gás afetam a concentração e distribuição do plasma; O tempo de deposição determina a espessura da película.

4. Máquina de revestimento de pulverização de magnetrônio de radiofrequência começa o processo de pulverização

A pré-pulverização limpa a superfície do alvo: depois de ligar a fonte de energia de rádio-frequência, a pré-pulverização é realizada por um período de tempo (por exemplo, cerca de 10 minutos), com o objetivo de limpar os óxidos ou outros poluentes que possam estar na superfície do alvo, tornando a película obtida pela deposição formal posterior mais pura.

Deposição formal do filme: após a pré-pulverização é concluída, abra a fonte de alimentação de controle do banco de amostras e pressione o botão "Iniciar" para que o banco de amostras comece a girar. Ao mesmo tempo, abra a barra de alvo e o interruptor de barra de amostra, neste momento o revestimento de pulverização começa oficialmente. Durante o processo de pulverização, a pressão pode ser ajustada segundo a necessidade para mantê-la dentro da faixa de configuração para garantir a qualidade estável do filme fino.

5. pós-tratamento (opcional)

Operações como tratamento térmico, tratamento a laser ou modificação química conforme necessário: se houver requisitos especiais para a película depositada, como melhorar as propriedades de cristalização, melhorar certas propriedades físicas, etc., o processo de pós-tratamento correspondente pode ser realizado após a terminação da pulverização. No entanto, essa não é uma etapa necessária, mas é necessário decidir se e como implementar de acordo com as necessidades específicas da aplicação.

6. Função final do revestimento de pulverização de magnetrônio de RF

Desligue o dispositivo: depois que o tempo de revestimento atingir o valor definido, primeiro feche o painel (incluindo o painel da amostra e o painel alvo), pare a rotação da amostra e pressione o botão "para" da amostra. Em seguida, desligue o botão de potência da seção de controle do instrumento ao mínimo, para a fonte de energia de radiofrequência, primeiro pressione o vermelho para desligar e depois pressione o amarelo para desligar; A fonte de alimentação DC é desligada diretamente pressionando o vermelho. Em seguida, desligue a fonte de alimentação de controle de fluxo de ar, ajuste o fluxo para o número de exibição de 0 e opere o estado de "controle de válvula" para "desligado". Finalmente, feche os outros equipamentos e válvulas relevantes para completar todo o processo de revestimento.

7. Extração de amostras

Confirmar o equilíbrio da pressão: antes de desligar todos os equipamentos e restaurar a pressão normal, certifique-se de que a câmara de revestimento é consistente com a pressão do ar da câmara de amostra (ambas são atmosféricas ou a vácuo), em seguida, ligue a iluminação de ambas as câmaras e retire cuidadosamente a amostra com o filme condutor revestido.