Sistema de deposição de camada atômica térmica de mesa de grande tamanho ALD

Tecnologia de deposição de camada atômica térmica, até a área37 centímetros quadrados

Sistema de deposição de camada atômica térmica de mesa de grande tamanho

· Câmara de alumínio para placas planas de 37 cm quadrados (tipo 2ª geração)

· Aplicável a 8 peças de wafer de seis polegadas ou 4 peças de wafer de oito polegadas, com boa uniformidade (outros tamanhos de wafer podem ser personalizados)

· Tubo de corpo anterior aquecível com 4 portas (pode ser personalizado)

·Aquecimento da câmara com aquecedor de bobina de alta potência incorporado para temperaturas máximas de até 275°C

· Sistema de interface PLC/homem-máquina com controle direto e controle remoto de notebook

· Dispositivo de controle de fluxo de sopro de gás sensual de resposta rápida com MFC, válvula de corte de câmara integrada para opções de modo de crescimento de alta exposição (estática)

Todo o hardware e software estão em conformidade com as diretrizes Semi-S2 e NFPA-79

Conforme ao padrão Semi S2

· Opção de vácuo lenta adicional

Monitoramento opcional da temperatura do precursor com feedback em tempo real e controle do ciclo de pulso

· Tanque de gás inflamável opcional com ecrã LCD para rastreamento de peso

Como funciona o dispositivo ALD

O sistema de deposição de camadas atómicas (ALD) é composto por vários componentes principais: fontes de precursores e suas válvulas de reatores, câmaras de reação com plataformas de controle de temperatura (ou fixações), gases inertes e sistemas de vácuo (ou sistemas de aspiração). O processo faz a introdução alternada de precursores e reatores, introduzindo apenas um de cada vez, com uma etapa de varredura. Isso evita que o precursor reaga na fase gás, garantindo assim que somente as reações específicas da superfície sejam realizadas. O resultado é a formação de uma camada única de sedimentos moleculares em cada ciclo, permitindo assim o controle do crescimento da película fina em escala atômica. A reação é auto-limitada, o que significa que uma vez que o precursor reage com a superfície e preenche os locais ativos disponíveis (para óxidos, hidroxilos, etc.), a reação não pode continuar.

Enrique TecnologiaO sistema de deposição de camadas atómicas de desktop desenvolvido é fácil de operar e de manter, com excelente gerenciamento térmico, fontes de plasma personalizáveis ​​e funções de automação orientadas por software para suportar processos de deposição de camadas atómicas reforçados por calor e plasma. Estas ferramentas são escaláveis - desde equipamentos de mesa de laboratório compatíveis com caixas de luvas até sistemas completos de wafers de 12 polegadas - e foram cuidadosamente projetadas para a máxima estabilidade de processo, facilidade de uso e integração em vários ambientes de laboratório.

Área de aplicação

Enrique TecnologiaA tecnologia ALD é a base fundamental para o desenvolvimento da próxima geração de semicondutores, equipamentos de armazenamento de energia, dispositivos fotoeletrônicos e materiais biocompatíveis. Sua capacidade de cobrir uniformemente as nanoestruturas torna-o essencial nas seguintes áreas:

·Tecnologia de sistemas microeletrônicos e micromecânicos para dielétricas e bloqueios de portas

·Baterias de estado sólido e supercapacitores para revestimentos de eletrodos e eletrólitos

·Revestimento óptico em rastres, lentes e estruturas fotônicas

·Desenvolvimento de células de combustível e catalisação, onde a tecnologia de deposição de camadas atômicas permite modificações de superfície controladas

·Equipamentos biomédicos que requerem filmes finas resistentes à corrosão e bioinertes

·Passivação de superfície e tratamento de embalagem de materiais fáceis de degradar

À medida que a indústria avança em direção a equipamentos menores, mais rápidos e mais eficientes, a importância da tecnologia de deposição de camadas atómicas está crescendo.

Casos de clientes

* Mais de 100 usuários, vários usuários que compraram repetidamente:

Universidade de Harvard

Universidade de Helsinque (Professor Mikko Ritala e Matti Putkonen)

Pan Forest Group (LAM) (mais de 6 unidades)

Universidade de Oxford (mais de dois, Prof Sebastian Bonilla)

Instituto Nacional de Ciência dos Materiais (Japão, vários)

Universidade de Tóquio (vários)

Universidade de Waseda (vários)

Northwest University (Estados Unidos)

Universidade de Cambridge (Reino Unido)

Universidade Rice

Universidade da Colúmbia Britânica (Canadá)

ENS-Paris (Instituto Superior de Ensino, França)

♢ 北京量子研究院

Universidade de Pequim

Universidade de Bristol (Reino Unido)

Universidade de Sheffield, etc.

Compra repetida de aplicativos específicos de clientes

1. Universidade de Waseda (Tóquio, Japão) - Sensores, modificação de superfície, nanogravura, fabricação de perfuração (AIST) - Prefeitura de Tsuki, Japão

Universidade de Waseda (Tóquio, Japão) – Sistema #2; aplicações semelhantes. Universidade Nacional de Yokohama, prefeitura de Kanagawa, Japão

Instituto Nacional de Ciência dos Materiais (NIMS) #1 (Prefeitura de Izumi, Japão) - Sonons em superfícies e películas finas; Metalógica de Plasma de Baixa Dimensão em Escala Atômica; Divisão de órbita espiral em nanomateriais

Instituto Nacional de Ciência dos Materiais (NIMS) #2 (Prefeitura de Tsugashi, Japão) - transporte relacionado ao spin em nanotubos de carbono; Fabricação de nano-intervalos e transporte molecular; Engenharia de lacunas em grafeno; Transistores orgânicos

Empresa Privada (Portland, Oregon, EUA) - Preparação de amostras TEM; HfO2, Al2O3, Ta2O5

Precision TEM (Santa Clara, Califórnia, EUA) - Preparação de amostras TEM; HfO2, Al2O3

7. 私人公司 TK (Private Company TK) (Miyagi Prefectura do Japão) - TEM Sample Preparation

Empresa Privada (Portland, Oregon, EUA) - Preparação de amostras TEM; HfO2, Al2O3, Ta2O5

Universidade de Tóquio (Japão) – * ALD Process

Universidade de Tóquio – Tóquio, Japão – Dr. Onaya

LAM Research (Tualatin, Oregon, Estados Unidos)

Sistema Pan-Forest Group (LAM) #2 – Tuvalu Latino, Oregon, EUA

13. Sistema Pan-Forest Group (LAM) #3 – Tuvalu Latino, Oregon, EUA

Universidade de Oxford - Prof Sebastian Bonilla

Universidade de Tokushima (Japão)

Helsinki University (Finlândia) Professor Mikko Ritala e Matti Putkonen

AMAT (Applied Materials) - Estados Unidos

Universidade de Oxford (Oxford, Reino Unido)