Sistema de deposição de gás químico de baixa pressão LPCVD

1 Visão geral do produto:

Sistema de deposição de gás químico de baixa pressão (LPCVDÉ uma técnica para fazer com que compostos gasosos reagam na superfície da base e se depositem em condições de baixa pressão para formar uma película sólida estável. Este sistema é utilizado na fabricação de semicondutores, eletrônica de potência, optoelétrônica eMEMSTais áreas têm ampla aplicação.LPCVDO sistema, através do controle preciso de parâmetros como temperatura, pressão e fluxo de gás, é capaz de formar uma película fina bem uniforme na superfície do substrato para atender a diversas necessidades do processo.

2 Utilização do equipamento:

LPCVDOs principais usos do sistema incluem:

1. Deposição de película fina: usado para amidar vários materiais de película fina, comoPoli-Si(silício policristalino),O Si3N4(nitreto de silício),do SiO2(dióxido de silício), vidro de fosfosilício, vidro de borofosfosilício, silício não cristalino e silicetos metálicos difíceis de fundir, etc. Estes filmes são usados ​​em dispositivos semicondutores, eletrônicos de potência, dispositivos fotoeletrônicos eMEMSdesempenha um papel fundamental na estrutura.

2. Fabricação de semicondutores: no processo de fabricação de circuitos integrados de semicondutores,LPCVDOs sistemas são usados ​​para formar estruturas-chave como óxidos de porta, camadas de passivação de superfície, camadas de amortecedores de tensão de nitreto, camadas de óxidos de sacrifício e camadas de óxidos de bloqueio.

3. Aplicações fotoeletrônicas: no campo da fotoeletrônica,LPCVDO sistema é usado para preparar filmes ópticos como condutores de onda óptica, camadas de refração variável e camadas antireflexivas para melhorar o desempenho do dispositivo.

3 Características do equipamento

LPCVDO sistema tem as seguintes características:

1. Ambiente de baixa pressão: a deposição em condições de baixa pressão ajuda a reduzir a colisão e a dispersão de moléculas de gás e melhora a uniformidade e a qualidade da película fina.

2. Controle de alta precisão: o sistema usa tecnologia avançada de controle de temperatura, pressão e fluxo de gás para controlar com precisão vários parâmetros durante o processo de sedimentação para garantir a precisão e consistência da película fina.

3. Versatilidade: Capaz de depositar vários materiais de película fina, para atender às diferentes necessidades de processo, com uma ampla aplicação.

4. Eficiência elevada: devido à baixa pressão de trabalho, a distância livre média das moléculas de gás e o grande fator de difusão podem aumentar a produtividade através de carregamento intensivo.

4 Parâmetros técnicos e características:

1. Satisfação das exigências de alta temperatura e refrigeração rápida para pesquisas em grafeno e nanotubos de carbono

2. Diâmetro200Quartzo de milímetros

3. Os tubos internos de quartzo são projetados para fácil desmontagem e limpeza

4. Dimensões do substrato até o diâmetro150milímetros

5. forno de resistência de três zonas,150Zona de temperatura uniforme em milímetros

6. Temperatura alta até1000°C

7. Usar o tipo de redução de fluxoIVAVálvula borboleta controle de pressão abaixo50 mTorrPara500 mTorrEntre

8. 8pés cúbicos/ParteEbara ESA25-DBomba de vácuo seca-Vácuo duplo seco