Laser de bomba de semicondutores de frequência única ultravioleta-320nm & 349nm

NegociávelAtualização em02/07

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Detalhes do produto

Áreas de aplicação:

Detecção de semicondutores;

Detecção de defeitos de carboneto de silício PL;

Detecção em massa de MicroLED;

placa-mãe de raster óptico;

citométria de fluxo;

Espectro de Raman ultravioleta;

O laser da série Skylark 320NX é um laser de bomba de semicondutores de frequência única da Skylark, com saída de até 200mW e largura de linha extremamente estreita (<0,5 MHz), oferecendo uma estabilidade espectral extremamente alta (<0,5 MHz). 1pm@8h e estabilidade de potência (<2% @ 8h), ao mesmo tempo como um laser de frequência única, seu espectro puro, o ruído também é muito menor do que o laser de gás ultravioleta atualmente disponível no mercado, ideal para a detecção de Raman ultravioleta, experimentos holográficos e aplicações de fotografia;

Figura 2: Mapa do pico Raman obtido com o laser 349NX

Tipo de laser	O Skylark NXSérie	HeCd	ArLaser iônico
Potência	★★★★	★	★★
Vida útil	★★★★	★★	★★
Volume	★	★★★★	★★
Custo	★	★★★	★★★★★

Tabela 1, Tabela de comparação de diferentes lasers

Especificações técnicas do laser de bomba de semicondutores de frequência única ultravioleta
modelo	320NX	349NX
Potência de saída	200 MW	400 MW
comprimento de onda	320nm	349 nm
Largura de banda espectral	≤0.5MHz	≤0.5MHz
Modo Espacial	O TEM00	O TEM00
Estabilidade espectral	± 0.2 pm@8h	± 0.2 pm@8h
Comprimento coerente	> 100 metros	> 100 metros
Estabilidade de potência de saída	≤2% @8h	≤2% @8h
Ruído de potência de saída	RMS de ≤0,1%	RMS de ≤0,1%
Ángulo de dispersão	1.0mrad(Limite de difração)	1.0mrad(Limite de difração)
Tamanho da mancha	0,5 ~ 1 milímetro	0,5 ~ 1 milímetro
Feixe orientado para a estabilidade	≤5urad / ℃	≤5urad / ℃

Para mais informações sobre o aplicativo, entre em contato com o nosso gerente de produtos, Sr. Su (WeChat)

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