Máquina de gravura de plasma CCP

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Visão geral

O gravador de plasma CCP é um dispositivo comumente usado no campo do micronanoprocessamento para processamento fino e definição de padrões de materiais como dispositivos semicondutores, componentes ópticos e biochips. Seu princípio é baseado na tecnologia de plasma, usando íons e radicais livres no plasma para reações químicas e gravação física na superfície do material através da descarga de gás.

Detalhes do produto

Introduzir o gás (como o gás fluoreto) na câmara de reação e descarregar o gás por meio de fontes de potência de rádio-frequência (RF) ou fontes de microondas. Os campos elétricos e a energia gerados durante a descarga estimulam as moléculas de gás para formar o plasma.

As moléculas de gás são excitadas em espécies ativas como íons, elétrons e radicais livres. Essas espécies ativas reagem químicamente na superfície do material, como fluoração, oxidação, silicação, etc., alterando assim as propriedades químicas da superfície.

Os íons e os radicais livres aplicam energia à superfície do material, levando à remoção de átomos ou moléculas da superfície do material. Este processo de gravação física permite que a superfície do material seja gradualmente descascada, permitindo o processamento fino do material e a definição de padrões.

Ao controlar o tipo de gás, a potência de descarga, a pressão da câmara de reação e outros parâmetros, a gravação seletiva de diferentes materiais pode ser realizada. Por exemplo, a gravação seletiva de materiais como silício, nitreto de silício e óxido de silício pode ser realizada.

Normalmente, também é equipado com funções auxiliares como sistema de vácuo, sistema de controle de temperatura e sistema de controle de fluxo de gás para garantir a estabilidade e controlabilidade do processo de gravura.

A máquina de gravação de plasma CCP WINETCH é um sistema de plasma CCP de alto custo-benefício projetado para as necessidades dos clientes de pesquisa e desenvolvimento empresarial. Como um sistema multifuncional, ele obtém um processo de gravação CCP de alto desempenho através de um design de sistema otimizado e configurações flexíveis. A estrutura compacta do equipamento ocupa uma pequena área e o design mecânico da indústria e o software de operação de automação otimizado tornam o equipamento fácil de operar, seguro e contínuo.

Gravação CCP é uma técnica de micronanoprocessamento comumente usada, amplamente usada na fabricação de dispositivos semicondutores, fabricação de dispositivos ópticos, fabricação de biochips e outros domínios. Seu princípio é o uso de campos elétricos de alta frequência para gerar plasma, sob o efeito do plasma, a superfície do material é reagida químicamente e colisiona físicamente, de modo a obter a gravação do material.

O sistema de gravação WINETCH produz plasma de alta densidade por acoplamento por capacitividade (CCP), por meio de gráficos de máscara (por exemplo, máscara fotográfica) para realizar a gravação seletiva de materiais médios (por exemplo, óxido de silício SiO2, nitreto de silício SiNx, etc.).

O sistema CCP é composto principalmente pelas seguintes partes: câmara de reação, descarga, cabeça de pulverização (alimentação), fonte de energia de radiofrequência, sistema de vácuo, câmara de pré-vácuo, sistema de vias de ar, sistema de controle e software, acessórios de apoio, etc.

Características da máquina de gravura a plasma WINETCH:

- Boa aparência de gravura, desempenho do processo*

- Alta proporção de seleção e alta taxa de corrosão

Baixo custo de propriedade e custo de consumo

Parâmetros técnicos da gravadora de plasma WINETCH:

Tamanho do wafer: compatível com 6/8 polegadas

Processo aplicável: Gravação ao plasma

Materiais aplicáveis: SiO2, Si3N4, etc. Área de aplicação: semicondutores compostos, MEMS、 Aparelhos de potência, pesquisa científica e outros domínios

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